[发明专利]用于双脉冲编程的系统和方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，其包括：

控制电路，其用于执行编程和验证操作以编程非易失性存储器的存储器单元阵列，其中所述控制电路在执行所述编程和验证操作的反复时被配置成：

将第一编程电压施加到选定字线，其中所述选定字线包含对应于数据状态的第一集合的存储器单元的第一子集和对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集，其中禁止用所述第一编程电压来编程存储器单元的所述第一子集的相应存储器单元，且其中所述第一编程电压被施加到对应于数据状态的所述第二集合的存储器单元的所述第二子集；

使所述选定字线的对应于所述第一编程电压的第一电压电平放电到对应于第二编程电压的第二电压电平，使得所述第二编程电压被施加到存储器单元的至少所述第一子集；以及

执行所述编程和验证操作的验证部分以验证存储器单元的所述第一子集和存储器单元的所述第二子集是否已完成编程。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述控制电路在施加所述第一编程电压之前被进一步配置成：

将禁止编程电压施加到对应于存储器单元的所述第一子集的位线，其中基于所述控制电路将所述禁止编程电压施加到对应于存储器单元的所述第一子集的所述位线，禁止用所述第一编程电压来编程存储器单元的所述第一子集的每个相应存储器单元。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述第一编程电压具有高于所述第二编程电压的电压电平。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述控制电路被进一步配置成使与存储器单元的所述第一子集相关联的位线放电到低于所述第一电压电平和所述第二电压电平的第三电压电平。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述控制电路被进一步配置成执行所述编程和验证操作的一个或多个额外反复，且其中所述控制电路在执行所述编程和验证操作的所述一个或多个额外反复时被配置成：

在所述编程和验证操作的连续反复期间递增地增大所述第一编程电压和所述第二编程电压，直到满足停止条件为止。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中在所述编程和验证操作的至少一个反复期间使用补偿编程电压来增大所述第一编程电压和所述第二编程电压，且其中在所述编程和验证操作的一个或多个其它反复期间使用升压编程电压来增大所述第一编程电压和所述第二编程电压。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述控制电路在执行所述编程和验证操作的所述验证部分时被配置成：

使用验证电压的第一集合来验证存储器单元的所述第一子集的一个或多个存储器单元是否已完成编程，以及

使用验证电压的第二集合来验证存储器单元的所述第二子集的一个或多个存储器单元是否已完成编程。

8.一种编程非易失性存储器的存储器单元的方法，所述方法包括：

将第一编程电压施加到选定字线，其中所述选定字线包含对应于数据状态的第一集合的存储器单元的第一子集和对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集，其中禁止用所述第一编程电压来编程存储器单元的所述第一子集的相应存储器单元，且其中所述第一编程电压被施加到对应于数据状态的所述第二集合的存储器单元的所述第二子集；

使所述选定字线的对应于所述第一编程电压的第一电压电平放电到对应于第二编程电压的第二电压电平，使得所述第二编程电压被施加到存储器单元的至少所述第一子集；以及

作为编程和验证操作的反复的部分，执行验证操作以验证存储器单元的所述第一子集和存储器单元的所述第二子集是否已完成编程。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述方法在施加所述第一编程电压之前进一步包括：

将禁止编程电压施加到对应于存储器单元的所述第一子集的位线，其中基于所述控制电路将所述禁止编程电压施加到对应于存储器单元的所述第一子集的所述位线，禁止用所述第一编程电压来编程存储器单元的所述第一子集的每个相应存储器单元。