[发明专利]浸入式液体介电常数电容阵列传感装置及系统在审
申请号: | 202110647709.0 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN113325782A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 辛云宏;苏睿恒 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人: | 许攀 |
地址: | 710119 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浸入 液体 介电常数 电容 阵列 传感 装置 系统 | ||
1.一种浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,其特征在于,所述装置包括:壳体、第一电路板和第二电路板,所述壳体为空腔结构,且所述壳体的一个底面设置有开口,所述壳体的一个侧面设置有凹槽,所述凹槽延伸至所述壳体内部的另一侧壁的内壁上,并将所述凹槽将所述壳体内部分隔为两个腔室,所述第一电路板和所述第二电路板分别通过所述开口位置设置在两个所述腔室内,且所述第一电路板和所述第二电路板结构相同,所述第一电路板和所述第二电路板的正面均包括:第一覆铜片、第二覆铜片、屏蔽地线圈、第一控制接口、第二控制接口、第三控制接口和第四控制接口;所述第一电路板和所述第二电路板的正面的一端分别依次设置有所述第一控制接口、所述第二控制接口、所述第三控制接口和所述第四控制接口,所述第一电路板和所述第二电路板正面上的外周设置有所述屏蔽地线圈,且所述屏蔽地线圈的两端分别与所述第一控制接口和所述第四控制接口连接,所述屏蔽地线圈内部相对设置有所述第一覆铜片和所述第二覆铜片,且所述第一覆铜片和所述第二覆铜片分别与所述第二控制接口和所述第三控制接口连接,所述第一电路板和所述第二电路板的背面均为全覆铜结构,且所述第一电路板和所述第二电路板的正面与背面均通过过孔电连接。
2.根据权利要求1所述的浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,其特征在于,所述第一覆铜片和所述第二覆铜片的结构为互补结构。
3.根据权利要求2所述的浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,其特征在于,所述第一覆铜片和所述第二覆铜片之间的间距的距离为0.5~1mm。
4.根据权利要求3所述的浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,其特征在于,所述装置的所述第一电路板和所述第二电路板均还包括:第五控制接口、第六控制接口、第三覆铜片和第四覆铜片,所述第三覆铜片和所述第四覆铜片与所述第一覆铜片和所述第二覆铜片相对设置,所述第五控制接口与所述第三覆铜片电连接,所述第六控制接口与所述第四覆铜片电连接。
5.根据权利要求4所述的浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,其特征在于,所述第一电路板和所述第二电路板的正面相对设置。
6.根据权利要求5所述的浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,其特征在于,所述第一电路板的背面与所述第一电路板的正面对称设置。
7.根据权利要求6所述的浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,其特征在于,所述第二电路板的背面与所述第二电路板的正面对称设置。
8.一种浸入式液体介电常数电容阵列传感系统,其特征在于,所述系统包括:正弦波信号输入端,信号输出端、MCU处理器和权利要求1-7任意一项所述的浸入式液体介电常数电容阵列传感装置,所述装置的第一电路板的第二控制接口、第三控制接口,第二电路板的第二控制接口、第三控制接口;在这四个控制接口中,至少有一个控制接口与正弦波信号输入端电连接,用于接收正弦波信号,至少有一个控制接口与信号输出端电连接用于输出电压信号,所述MCU处理器用于多次对所述输出电压信号进行检测,并根据检测浸入式液体前后的电压信号的变化与待测浸入式液体的对应关系,得到待测的浸入式液体的种类编号。
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