[发明专利]阵列基板及显示装置制备方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及显示装置制备方法，阵列基板包括衬底和设置于衬底一侧的有源层，衬底具有指纹识别区和至少部分围绕指纹识别区设置的正常显示区，有源层包括多个有源单元，有源单元在衬底上呈阵列分布；还包括光阻断层，光阻断层设置于有源层朝向衬底的一侧且设于指纹识别区，光阻断层包括多个挡光单元，在垂直于阵列基板的方向上，挡光单元在衬底的正投影覆盖有源单元在衬底的正投影设置，且挡光单元的正投影覆盖至少一个有源单元的正投影。通过挡光单元来遮挡在阵列基板进行电路板邦定过程中照射至指纹识别区的外界光，避免位于指纹识别区的各个有源单元被强光源照射而导致其特性变化，提高显示装置的显示均一性。

技术领域

本发明属于电子产品技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置制备方法。

背景技术

随着使用者需求的逐步升级，显示装置内集成了屏下摄像、指纹识别等多种功能，显示装置的制作时一般包括阵列基板的制备、邦定电路板等工艺流程，在阵列基板邦定电路板的过程中，需要先将用于遮挡指纹识别区域的胶带去除，进而通过对位光源将电路板与阵列基板对齐，实现两者的邦定。然而，在通过对位光源进行对位的过程中，指纹识别区域处的晶体管会受到光照而导致晶体管特性偏移，造成指纹识别区域处显示亮度不均，导致显示装置产生显示差异等问题。

因此，亟需一种新的阵列基板及显示装置制备方法。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置制备方法，通过设置挡光单元来遮挡照射至指纹识别区的强光源，避免在邦定电路板过程中指纹识别区内的有源单元因受强光照射而导致其特性发光变化，从而提高显示均一性。

本发明实施例一方面提供了一种阵列基板，包括衬底和设置于所述衬底一侧的有源层，所述衬底具有指纹识别区和至少部分围绕所述指纹识别区设置的正常显示区，所述有源层包括多个有源单元，所述有源单元在所述衬底上呈阵列分布；还包括光阻断层，所述光阻断层设置于所述有源层朝向所述衬底的一侧且设于所述指纹识别区，所述光阻断层包括多个挡光单元，在垂直于所述阵列基板的方向上，所述挡光单元在所述衬底的正投影覆盖所述有源单元在所述衬底的正投影设置，且所述挡光单元的正投影覆盖至少一个所述有源单元的正投影。

根据本发明的一个方面，还包括设于所述光阻断层和所述有源层之间的第一无机层，所述第一无机层包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。

根据本发明的一个方面，所述衬底包括沿所述阵列基板的膜层堆叠方向层叠设置的第一衬底、第二无机层以及第二衬底，所述光阻断层和所述第一无机层层叠设于所述第二衬底背离所述第一衬底一侧，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述第二无机层的厚度小于等于所述第一无机层的厚度。

根据本发明的一个方面，还包括设于所述第二衬底和所述光阻断层之间的第三无机层，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述第一无机层的厚度为100nm～500nm，所述第二无机层的厚度为100nm～1000nm，所述第三无机层的厚度为100nm～1000nm。

根据本发明的一个方面，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述光阻断层的厚度为10nm～100nm，所述光阻断层包括紫外光透过率小于等于1％的材料层；优选的，所述光阻断层为非晶硅。

根据本发明的一个方面，还包括像素电路，所述像素电路包括由七个晶体管以及一个电容，各所述挡光单元在所述衬底上的正投影至少覆盖所述像素电路中一个所述晶体管的有源单元在所述衬底上的正投影。

根据本发明的一个方面，在垂直于所述阵列基板的方向上，一个所述挡光单元在所述衬底上的正投影仅覆盖一个所述有源单元在所述衬底上的正投影，或；在垂直于所述阵列基板的方向上，一个所述挡光单元在所述衬底上的正投影至少覆盖两个所述晶体管的有源单元在所述衬底上的正投影。

根据本发明的一个方面，各所述挡光单元在所述衬底上的正投影呈多边形、圆形、椭圆形及带状中的至少一种。