[发明专利]一种晶圆清洁装置以及清洁方法在审
申请号: | 202110609309.0 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113594063A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 徐建和 | 申请(专利权)人: | 徐建和 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京中北知识产权代理有限公司 11253 | 代理人: | 陈通 |
地址: | 325000 浙江省温州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洁 装置 以及 方法 | ||
本发明涉及一种晶圆清洁装置以及清洁方法,首先通过支撑架的设置使清洗时晶圆是竖直状态,且通过抽吸气泵和吸盘结合固定晶圆,避免受力不均导致晶圆损坏,同时设置升降轨道,使得晶圆在清洗时可以具有较大的清洗间隙,提高清洗效果,同时通过清洗液泵连接吸盘的方式进行清洗,吸盘的出口通过切换转换为清洗喷头,同时抽吸气泵可以在清洗后进行干燥支持,然后通过升降轨道形成的定位间隙,使得另一侧的吸盘固定,本侧吸盘就可以放松,复位到原来清洗间隙后就可以继续工作,完成清洗。
技术领域
本发明涉及晶圆清洁技术领域,更具体地说,涉及一种晶圆清洁装置以及清洁方法。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆清洗,将晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中,由于与各种有机物、粒子及金属接触而产生的污染物清除的工艺。是晶圆制造过程中的一个重要工艺步骤。而晶圆清洗目前存在一个问题,一般的清洗都将晶圆水平放置,且通过洗液进行清洗,但是对水平放置的晶圆翻面机构工序复杂,且对执行精度要求较高,因为施力较重会导致晶圆破损,所以整个清洗时间无疑大大增加。
发明内容
有鉴于此,本发明第一目的是提供一种晶圆清洁装置,本发明的第二目的是清洁方法,以解决上述问题。
为了解决上述技术问题,实现本发明的第一目的,本发明的技术方案是:一种晶圆清洁装置,包括底座以及清洁机构,所述清洁机构设置为两个,两个所述清洁机构对称设置于所述底座上;
所述清洁机构包括支撑架、清洁吸盘、连通切换组件以及升降组件;
所述清洁吸盘通过连通切换组件设置在所述支撑架上,所述清洁吸盘数量设置为多个;
所述连通切换组件设置在支撑架上,所述连通切换组件包括连通主管以及切换阀组,所述清洁吸盘上设置有与所述连通主管连通的连通口,所述切换阀组设置在所述连通主管上,所述连通主管上形成有气路接口以及液路接口,所述切换阀组用于控制连通主管在第一连通状态和第二连通状态切换,所述第一连通状态时,所述连通主管和气路接口导通同时所述连通主管和液路接口截止,所述第二连通状态时,所述连通主管和液路接口导通同时所述连通主管和气路接口截止;所述气路接口连接有抽吸气泵,所述抽吸气泵工作时通过连通口吸入气体,所述液路接口连接有清洗液泵,所述清洗液泵工作时通过连通口喷出洗液;
所述升降组件设置在所述支撑架上,所述升降组件包括升降轨道以及升降执行件,所述连通切换组件设置于所述升降轨道上,所述升降执行件用于带动所述连通切换组件在所述升降轨道上移动,所述升降轨道的两端形成第一位置和第二位置;
当两个连通切换组件分别位于对应的升降轨道的第一位置时,连通切换组件之间形成具有第一距离值的清洁间隙;当两个连通切换组件分别位于对应的升降轨道的第二位置时,连通切换组件之间形成具有第二距离值的定位间隙,所述第一距离值大于第二距离值。
进一步的,还包括翻转机构,所述翻转机构连接于所述支撑架和底座之间,所述翻转机构用于带动支撑架转动以使所述支撑架在水平状态和竖直状态之间切换。
进一步的,位于不同清洁机构的清洁吸盘相错设置。
进一步的,所述连通口处设置有文丘里管。
进一步的,所述底座上形成有容置槽。
进一步的,所述升降轨道包括设置在支撑架上的若干轨道翼板,所述轨道翼板上设置有让位滑轨,所述连通主管依次穿设于所述让位滑轨上,所述让位滑轨的延伸方向向底座方向倾斜设置。
为了实现本发明的第二目的,提供一种晶圆清洁方法,提供上述的一种晶圆清洁装置,具体包括以下步骤:
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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