[发明专利]屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法

说明书

本发明提供一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法，该屏下摄像头显示面板的透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素；Micro LED像素包括衬底、设于衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片，Micro LED芯片的引脚位于Micro LED芯片的非出光面上，且引脚通过金属走线图案与驱动电路层电性连接；本发明中的Micro LED像素位于显示区域的内侧，确保了屏下摄像头显示面板的所有显示区的显示画面处于同一高度，避免Micro LED显示画面悬浮的问题，且每个Micro LED芯片避开出光面设置有引脚和金属走线图案，避免引脚影响Micro LED出光的面积和视角，从而提高了屏下摄像头显示面板的整个显示区的显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法。

背景技术

随着显示面板的快速发展，具有高屏占比的显示面板成为当前发展的趋势，例如全面屏手机依次发展为异形屏、美人尖、挖空屏，这些都是为了提高显示面板的屏占比。由于全面屏手机在出光面一侧设置有前置摄像头，液晶屏属于整面背光的被动发光，前置摄像头与光学显示无法同时在盲孔或通孔上重合，因此限制了液晶屏向全面屏的方向发展。

为了解决上述问题，面板厂家发现Micro LED显示面板具有超高亮度，高对比度，响应时间快，透明度高，可绕性等物理特点，成为全面屏手机所需显示产品，例如，参考图1中的(a)，在既能正常显示又能保证外界光线穿过屏体情况下，外界光穿过液晶屏11的透过率为10％；参考图1中的(b)，外界光穿过OLED屏12的透过率可达到为50％；参考图1中的(c)，外界光穿过Micro LED屏13的透过率可达到为80％。但是目前Micro LED芯粒的巨量转移技术未有突破，在制备技术上存在巨量转移良率低和效率低的问题，现阶段无法用MicroLED来大尺寸批量化的Micro LED显示器，但小尺寸Micro LED显示屏可以实现，因此利用小尺寸的Micro LED显示屏填补前置摄像头上缺失显示，可实现真正意义上的全面屏，参考图2和图3。

如图2中的(c)所示，现有技术的全面屏包括液晶显示区20和Micro LED显示区30，液晶显示区20包括背光源21、阵列基板、液晶层25、以及彩膜基板，其中，阵列基板包括第一基板23和位于第一基板23之上的驱动电路层24，彩膜基板包括第二基板26和位于第二基板26之下的色阻层28，阵列基板的背部设置有第一偏光片22，彩膜基板表面设置有第二偏光片27。Micro LED显示区30包括与色阻层同层设置的Micro LED芯片32和位于Micro LED芯片32之上的驱动电路层33，其中，Micro LED芯片32外设置有封装层31，Micro LED显示区30背部还设置有光学传感器34。如图2中的(d)所示，Micro LED芯片32出光面与驱动电路层33之间采用绑定电极35和绑定电极36连接，存在Micro LED芯片32出光被绑定电极遮挡，导致Micro LED显示区30出射光线S1出光面积和视角较小的问题。

如图3中的(e)所示，图3中的(e)的液晶显示区20跟图2中的(c)相同，Micro LED显示区40包括位于第二基板26表面的驱动电路层41和位于驱动电路层41表面的Micro LED芯片43，Micro LED芯片43外围设置有封装层42，Micro LED显示区40背部还设置有光学传感器44。如图3中的(f)所示，Micro LED芯片43底部与驱动电路层41之间采用绑定电极45和绑定电极46连接，存在液晶显示区20和Micro LED显示区40显示不共面，导致Micro LED显示区40出射光线S2的显示画面悬浮的问题。

综上所述，现有技术利用Micro LED显示屏与液晶屏叠加形成全面屏后，存在Micro LED显示区出光品质较差的问题，需要改进。

发明内容

本发明提供一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法，能够解决现有技术利用Micro LED显示屏与液晶屏叠加形成全面屏后，存在Micro LED显示区出光品质较差的问题。