[发明专利]一种VDMOS器件结构的三极管显示器

说明书

本发明公开了一种VDMOS器件结构的三极管显示器，包括多个像素，每个像素包括三个子像素单元；驱动背板承载多个像素；所述子像素单元包括VDMOS器件，所述VDMOS器件设置在驱动背板上，且覆盖至少一个所述过孔。本发明减少了响应时间，提高了显示亮度，具有高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能。

技术领域

本发明涉及基于一种VDMOS器件结构的三极管显示器，属于显示器制造领域。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板的应用范围越来越广泛，人们对显示面板的要求也越来越高。例如，显示面板应用于手机、电脑、平板电脑、电子书、信息查询机和可穿戴设备等产品。而随着显示面板应用范围扩大，人们对于显示技术和显示器件提出了越来越高的要求。传统的LED/OLED显示器存在一定的局限性，已经无法满足现在人们对视觉体验的更多要求。

发明内容

为解决现有技术中的不足，本发明提供一种VDMOS器件结构的三极管显示器，实现高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能。

本发明中主要采用的技术方案为：

一种VDMOS器件结构的三极管显示器，包括：

多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元；

驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；

所述子像素单元包括阳极、VDMOS器件、ITO/TiN薄膜层和LED发光单元，所述阳极设置在驱动背板上，且覆盖至少一个所述过孔，所述VDMOS器件设置在阳极远离驱动背板的一侧，所述ITO/TiN薄膜层包括上下堆叠设置的ITO薄膜层和TiN薄膜层，所述TiN薄膜层设置在VDMOS器件上远离驱动背板的一侧，所述ITO薄膜层设置在TiN薄膜层上远离驱动背板的一侧，所述LED发光单元设置在ITO薄膜层上远离驱动背板的一侧。

优选地，所述VDMOS器件包括NPN型半导体层、SiN侧壁保护层、栅极绝缘层和栅极，所述NPN型半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述ITO/TiN薄膜层设置在NPN型半导体层远离驱动背板的一侧，所述SiN侧壁保护层设置在ITO/TiN薄膜层上表面四周，形成SiN槽，所述栅极绝缘层包覆在SiN侧壁保护层、ITO/TiN薄膜层和NPN型半导体层的外侧壁上，所述栅极设置在栅极绝缘层的侧壁上，所述栅极绝缘层的垂直剖面为L型结构，且栅极底面与栅极绝缘层接触。

优选地，所述LED发光单元包括RGB OLED发光层和漏极，所述RGB OLED发光层位于SiN槽内ITO/TiN薄膜层远离驱动背板的一侧，所述红色子像素单元的RGB OLED发光层中为红色OLED发光材料；所述绿色子像素单元的RGB OLED发光层中为绿色OLED发光材料；所述蓝色子像素单元的RGB OLED发光层为蓝色OLED发光材料，所述漏极位于RGB OLED发光层远离驱动背板的一侧。

优选地，所述VDMOS器件包括NPN型半导体层、栅极和栅极绝缘层，所述NPN型半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述栅极绝缘层镀覆在NPN型半导体层和阳极的外侧壁，所述栅极覆盖在所述栅极绝缘层的侧边。

优选地，所述LED发光单元包括键合金属层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述键合金属层键合生长在ITO/TiN薄膜层远离驱动背板一侧，所述第一半导体层位于所述键合金属层远离驱动背板的一侧；所述发光层设置在所述第一半导体层远离驱动背板的一侧；所述第二半导体层设置在所述发光层远离驱动背板的一侧；所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元中的发光层发出蓝光。

优选地，所述LED发光单元为OLED白光层，所述OLED白光层位于ITO/TiN薄膜层远离驱动背板的一侧，且与ITO/TiN薄膜层接触。

优选地，还包括第一薄膜封装层、共阴极和第二薄膜封装层，其中，