[发明专利]一种VDMOS器件结构的三极管显示器

权利要求书

1.一种VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，包括：

多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元；

驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；

所述子像素单元包括阳极、VDMOS器件、ITO/TiN薄膜层和LED发光单元，所述阳极设置在驱动背板上，且覆盖至少一个所述过孔，所述VDMOS器件设置在阳极远离驱动背板的一侧，所述ITO/TiN薄膜层包括上下堆叠设置的ITO薄膜层和TiN薄膜层，所述TiN薄膜层设置在VDMOS器件上远离驱动背板的一侧，所述ITO薄膜层设置在TiN薄膜层上远离驱动背板的一侧，所述LED发光单元设置在ITO薄膜层上远离驱动背板的一侧。

2.根据权利要求1所述的VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，所述VDMOS器件包括NPN型半导体层、SiN侧壁保护层、栅极绝缘层和栅极，所述NPN型半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述ITO/TiN薄膜层设置在NPN型半导体层远离驱动背板的一侧，所述SiN侧壁保护层设置在ITO/TiN薄膜层上表面四周，形成SiN槽，所述栅极绝缘层包覆在SiN侧壁保护层、ITO/TiN薄膜层和NPN型半导体层的外侧壁上，所述栅极设置在栅极绝缘层的侧壁上，所述栅极绝缘层的垂直剖面为L型结构，且栅极底面与栅极绝缘层接触。

3.根据权利要求2所述的VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，所述LED发光单元包括RGB OLED发光层和漏极，所述RGB OLED发光层位于SiN槽内ITO/TiN薄膜层远离驱动背板的一侧，所述红色子像素单元的RGB OLED发光层中为红色OLED发光材料；所述绿色子像素单元的RGB OLED发光层中为绿色OLED发光材料；所述蓝色子像素单元的RGB OLED发光层为蓝色OLED发光材料，所述漏极位于RGB OLED发光层远离驱动背板的一侧。

4.根据权利要求1所述的VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，所述VDMOS器件包括NPN型半导体层、栅极和栅极绝缘层，所述NPN型半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述栅极绝缘层镀覆在NPN型半导体层和阳极的外侧壁，所述栅极覆盖在所述栅极绝缘层的侧边。

5.根据权利要求4所述的VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，所述LED发光单元包括键合金属层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述键合金属层键合生长在ITO/TiN薄膜层远离驱动背板一侧，所述第一半导体层位于所述键合金属层远离驱动背板的一侧；所述发光层设置在所述第一半导体层远离驱动背板的一侧；所述第二半导体层设置在所述发光层远离驱动背板的一侧；所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元中的发光层发出蓝光。

6.根据权利要求4所述的VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，所述LED发光单元为OLED白光层，所述OLED白光层位于ITO/TiN薄膜层远离驱动背板的一侧，且与ITO/TiN薄膜层接触。

7.根据权利要求3所述的VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，还包括第一薄膜封装层、共阴极和第二薄膜封装层，其中，

所述第一薄膜封装层包覆VDMOS器件、LED发光单元和驱动背板上表面，每个子像素单元中对应的第一薄膜封装层上开有一个第一电极槽，露出部分漏极，每两个子像素单元之间对应的第一薄膜封装层上还开有第二电极槽，所述第二电极槽在驱动背板上的投影位于两个子像素单元之间；

所述共阴极生长在第一薄膜封装层远离驱动背板的一侧，且覆盖第一电极槽和第二电极槽，所述共阴极通过第一电极槽与漏极接触；

所述第二薄膜封装层生长在共阴极远离驱动背板的一侧，且覆盖共阴极。