专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2-CN202111360842.4有效
  • 张帅;刘静静;郭华飞;丁建宁;袁宁一 - 常州大学
  • 2021-11-17 - 2023-01-17 - H10K71/00
  • 本发明涉及光伏电池领域,特指一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2(S,Se)3太阳能电池和电池制备方法。CdS薄膜制备方法包括:先热蒸发法制得预制薄层CdS基片(CdS(Eva)),再在此基础上通过水浴法制得CdS薄膜(CdS(CBD))。先热蒸发法能够将高纯度的CdS粉料均匀地附着在导电基底之上,为后续的化学水浴法制备CdS提供微小晶核的附着点并促进稳定结晶。基于该薄膜获得的Sb2(S,Se)3太阳能电池,结构为Glass/FTO/CdS(Eva)/CdS(CBD)/Sb2(S,Se)3/Spiro/Au,PN结电子‑空穴对的传输能力更强,光电转换性能更优。
  • 一种cds薄膜制备方法及其sbbasesub
  • [发明专利]一种基于CdS/SnO2-CN201910457215.9有效
  • 丁建宁;陈志文;袁宁一;郭华飞 - 常州大学
  • 2019-05-29 - 2021-01-29 - H01L31/18
  • 本发明属于太阳电池制备领域,具体涉及一种基于CdS/SnO2混合N型层的高效Sb2Se3薄膜电池及其制备方法,本发明的基于CdS/SnO2混合N型层的高效Sb2Se3薄膜电池是通过使用CdS/SnO2混合N型层来代替单一的SnO2缓冲层,通过对比两者的Sb2Se3的XRD图谱可以明显的发现,使用SnO2作为N型层时,(120)是Sb2Se3的择优取向,而使用混合N型层可以使Sb2Se3的(120)晶面的取向降到最低,并使(221)成为择优取向,更加有利于电子的传输,并且由于CdS薄膜的存在不仅可以诱导Sb2Se3薄膜的柱状生长,还可以提高其结晶性从而提高其电池效率。
  • 一种基于cdssnobasesub
  • [发明专利]一种制备Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池的方法-CN201611041994.7有效
  • 丁建宁;马昌昊;袁宁一;郭华飞;张克智 - 常州大学
  • 2016-11-24 - 2017-09-08 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种制备Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池的方法,首先,提供SLG衬底;在所述SLG衬底上磁控溅射Mo靶材形成Mo电极层;然后,在所述Mo电极层上依次溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材,形成叠层AZT前驱体结构;在所述叠层AZT前驱体结构上共同溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材,形成AZT前驱体薄膜;将所述AZT前驱体薄膜硫化退火,形成AZTS半导体薄膜;接着,在所述AZTS半导体薄膜上溅射形成本征ZnO层;在所述本征ZnO层上溅射形成ITO层;最后,在ITO层上蒸发制备银电极层,形成Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池。该方法简单,易于操作,制备得到的AZTS同质结电池,在半导体领域等方面的发展具有十分重要的科学意义。
  • 一种制备ag2znsns4同质薄膜电池方法

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