[发明专利]器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种器件结构，包括：

半导体器件，位于半导体衬底上，并且由平坦化介电层横向围绕；

器件接触通孔结构，垂直延伸穿过所述平坦化介电层并且接触所述半导体器件的节点；

平坦介电间隔件衬垫，接触所述平坦化介电层的顶表面并且包括穿过其中的开口；

蚀刻停止介电衬垫，包括位于所述平坦介电间隔件衬垫上面的水平延伸部分，并且包括位于穿过所述平坦介电间隔件衬垫的所述开口的外围处的向下突出部分；

通孔级介电层，位于所述蚀刻停止介电衬垫上面；以及

互连通孔结构，垂直延伸穿过所述通孔级介电层、所述蚀刻停止介电衬垫以及所述平坦介电间隔件衬垫，并且与所述器件接触通孔结构接触。

2.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述互连通孔结构包括笔直的侧壁；

所述笔直的侧壁的第一段从所述通孔级介电层的顶表面垂直延伸至所述器件接触通孔结构的顶表面；以及

所述笔直的侧壁的第二段从所述通孔级介电层的所述顶表面垂直延伸至位于包括器件接触通孔结构的所述顶表面的水平面之上方的高度。

3.根据权利要求2所述的器件结构，其中，所述笔直的侧壁的所述第二段的底边缘接触所述平坦介电间隔件衬垫。

4.根据权利要求2所述的器件结构，其中，所述笔直的侧壁的所述第二段的底边缘与所述互连通孔结构的水平表面邻接，所述水平表面与包括所述器件接触通孔结构的顶表面的所述水平面垂直地间隔开。

5.根据权利要求4所述的器件结构，其中，所述互连通孔结构的所述水平表面接触所述平坦介电间隔件衬垫的水平表面。

6.根据权利要求5所述的器件结构，其中，所述互连通孔结构的最底水平表面接触所述平坦化介电层的顶表面。

7.根据权利要求1所述的器件结构，其中，所述蚀刻停止介电衬垫包括水平板部分，所述水平板部分与所述向下突出部分邻接，并且接触所述器件接触通孔结构的顶表面。

8.根据权利要求7所述的器件结构，其中，所述通孔级介电层包括在包括所述蚀刻停止介电衬垫的最顶水平表面的水平面之下延伸的向下突出部分。

9.一种器件结构，包括：

半导体器件，位于半导体衬底上，并且由平坦化介电层横向围绕；

器件接触通孔结构，垂直延伸穿过所述平坦化介电层并且接触所述半导体器件的节点；

平坦介电间隔件衬垫，接触所述平坦化介电层的顶表面并且包括穿过其中的开口；

蚀刻停止介电衬垫，包括位于所述平坦介电间隔件衬垫上面的水平延伸部分，并且包括位于穿过所述平坦介电间隔件衬垫的所述开口的外围处的向下突出部分；

通孔级介电层，位于所述蚀刻停止介电衬垫上面；以及

互连通孔结构，垂直延伸穿过所述通孔级介电层、并且与所述蚀刻停止介电衬垫以及所述器件接触通孔结构接触，并且与所述平坦介电间隔件衬垫横向间隔开。

10.一种制造器件结构的方法，包括：

在半导体衬底上的半导体器件上方沉积平坦化介电层；

形成穿过所述平坦化介电层的器件接触通孔结构；

在所述平坦化介电层的顶表面上方沉积包括第一介电材料的平坦介电间隔件衬垫，其中，所述平坦介电间隔件衬垫包括位于所述器件接触通孔结构上方的开口；

在所述平坦介电间隔件衬垫上方以及所述器件接触通孔结构的顶表面上沉积包括第二介电材料的蚀刻停止介电衬垫；

在所述蚀刻停止介电衬垫上方沉积包括第三介电材料的通孔级介电层；

通过执行第一各向异性蚀刻工艺，在所述平坦介电间隔件衬垫中的所述开口的区域上方形成穿过所述通孔级介电层的互连通孔腔，所述第一各向异性蚀刻工艺使用图案化的蚀刻掩模层蚀刻所述第三介电材料，而对所述第二介电材料具有选择性；

通过执行第二各向异性蚀刻工艺将所述互连通孔腔垂直延伸至穿过所述蚀刻停止介电衬垫，所述第二各向异性蚀刻工艺蚀刻所述第二介电材料，而对所述第一介电材料具有选择性；以及

在所述器件接触通孔结构的顶表面的正上方的所述互连通孔腔中沉积互连通孔结构。