[发明专利]互连结构及其制造方法在审
申请号: | 202110586051.7 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN114078754A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 李宗彦;许佳桂;蔡尚纶;游明志;林柏尧 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
一种方法包括形成封装组件,包括:形成介电层;图案化介电层以形成开口;以及形成包括位于该开口中的通孔、导电焊盘和弯曲迹线的再分布线。通孔从导电焊盘竖直偏移。导电焊盘和弯曲迹线位于介电层上方。弯曲迹线将导电焊盘连接到通孔,并且弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的多个区段。导电凸块形成在导电焊盘上。本申请的实施例提供了互连结构及其制造方法。
技术领域
本申请的实施例涉及互连结构及其制造方法。
背景技术
随着半导体技术的进步,半导体芯片/管芯变得越来越小。同时,更多功能需要集成在半导体管芯内。可以将每个具有特定功能的多个器件管芯接合在一起以形成封装件。封装件形成得越来越大。另一方面,诸如中间件、封装衬底等中的封装件中的导电部件变得越来越小。这就要求认真处理制造工艺以减少缺陷。
发明内容
本申请的实施例提供一种方法,包括:形成第一封装组件,包括:形成第一介电层;图案化所述第一介电层以形成开口;形成第一再分布线,所述第一再分布线包括:第一通孔,位于所述开口中;第一导电焊盘,其中,所述第一通孔从所述第一导电焊盘竖直偏移;和第一弯曲迹线,其中,所述第一导电焊盘和所述第一弯曲迹线位于所述第一介电层上方,并且其中,所述第一弯曲迹线将所述第一导电焊盘连接到所述第一通孔,并且所述第一弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的第一多个区段;以及在所述第一导电焊盘上形成第一导电凸块。
本申请的实施例提供一种结构,包括:介电层;第一通孔,延伸到所述介电层中;第一导电迹线,位于所述介电层上方,其中,所述第一导电迹线包括第一多个区段,所述多个区段中的相邻区段的长度方向形成非零角度;第一导电焊盘,位于所述介电层上方,其中,所述第一导电迹线将所述第一导电焊盘电连接到所述第一通孔,并且所述第一导电焊盘、所述第一导电迹线和所述第一通孔形成连续的导电区域;以及第一导电凸块,位于所述第一导电焊盘上方并与所述第一导电焊盘接触。
本申请的实施例提供一种结构,包括:第一封装组件,包括:介电层;和多凸块接合结构,包括:导电焊盘,位于所述介电层上方并与所述介电层接触;和第一导电凸块和第二导电凸块,位于所述导电焊盘上方并与所述导电焊盘接触;通孔,延伸到所述介电层中,其中,所述通孔从所述导电焊盘竖直偏移;和导电迹线,位于所述介电层上方并将所述导电焊盘电连接到所述通孔,其中,所述导电迹线是弯曲的,并且包括多个区段,并且其中,所述多个区段的相邻区段既不彼此平行也不垂直;以及第二封装组件,包括:第一导电焊盘,位于所述第一导电凸块上方并接合到所述第一导电凸块;和第二导电焊盘,位于所述第二导电凸块上方并接合到所述第二导电凸块。
本申请的实施例提供了互连结构的多凸块连接及其制造方法。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各种部件没有被按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
图1-图10、图11A、图11B和图12-图16示出根据一些实施例的在封装件的形成中的中间阶段的截面图。
图17至图30示出根据一些实施例的一些多凸块接合结构。
图31示出根据一些实施例的用于形成包括多凸块接合结构的互连组件的工艺流程。
具体实施方式
以下公开内容提供了多种不同实施例或实例,以实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例,也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且,本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚,其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造