[发明专利]互连结构及其制造方法在审
申请号: | 202110586051.7 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN114078754A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 李宗彦;许佳桂;蔡尚纶;游明志;林柏尧 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造互连结构的方法,包括:
形成第一封装组件,包括:
形成第一介电层;
图案化所述第一介电层以形成开口;
形成第一再分布线,所述第一再分布线包括:
第一通孔,位于所述开口中;
第一导电焊盘,其中,所述第一通孔从所述第一导电焊盘竖直偏移;和
第一弯曲迹线,其中,所述第一导电焊盘和所述第一弯曲迹线位于所述第一介电层上方,并且其中,所述第一弯曲迹线将所述第一导电焊盘连接到所述第一通孔,并且所述第一弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的第一多个区段;以及
在所述第一导电焊盘上形成第一导电凸块。
2.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法,其中,使用同一种子层和分离的镀敷掩模形成所述第一再分布线和所述第一导电凸块。
3.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法,还包括形成第二再分布线,所述第二再分布线包括:
第二通孔,延伸到所述第一介电层中;
第二导电焊盘,其中,所述第二通孔从所述第二导电焊盘竖直偏移;
第二弯曲迹线,将所述第二导电焊盘连接到所述第二通孔,其中,所述第二弯曲迹线包括第二多个区段,并且所述第一通孔和所述第二通孔两者均接触位于所述第一介电层下方的第三再分布线的顶面;以及
在所述第二导电焊盘上形成第二导电凸块。
4.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法,还包括在所述第一导电焊盘上形成第二导电凸块,其中,所述第一导电凸块和所述第二导电凸块两者均具有与所述第一导电焊盘的顶面接触的底面。
5.根据权利要求4所述的制造互连结构的方法,还包括:
将所述第二封装组件接合到所述第一封装组件,其中所述第二封装组件的第一电连接件和第二电连接件分别接合到所述第一导电凸块和所述第二导电凸块。
6.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法,还包括形成位于所述第一通孔上方并与所述第一通孔物理接触的附加导电焊盘,其中,所述附加导电焊盘、所述第一弯曲迹线和所述第一导电焊盘彼此连续连接,其间没有区分界面。
7.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法,其中,所述第一弯曲迹线具有统一的宽度,并且延伸至直接位于所述第一通孔上方并与所述第一通孔接触。
8.一种互连结构,包括:
介电层;
第一通孔,延伸到所述介电层中;
第一导电迹线,位于所述介电层上方,其中,所述第一导电迹线包括第一多个区段,所述多个区段中的相邻区段的长度方向形成非零角度;
第一导电焊盘,位于所述介电层上方,其中,所述第一导电迹线将所述第一导电焊盘电连接到所述第一通孔,并且所述第一导电焊盘、所述第一导电迹线和所述第一通孔形成连续的导电区域;以及
第一导电凸块,位于所述第一导电焊盘上方并与所述第一导电焊盘接触。
9.根据权利要求8所述的互连结构,还包括位于所述第一导电焊盘上方并与所述第一导电焊盘接触的第二导电凸块,其中,所述第一导电凸块和所述第二导电凸块沿直线对准,并且所述第一导电迹线的第一多个区段包括结合所述第一导电焊盘的第一区段,所述第一区段的第一长度方向和所述直线形成大于0度且小于90度的第一角度。
10.一种互连结构,包括:
第一封装组件,包括:
介电层;和
多凸块接合结构,包括:
导电焊盘,位于所述介电层上方并与所述介电层接触;和
第一导电凸块和第二导电凸块,位于所述导电焊盘上方并与所述导电焊盘接触;
通孔,延伸到所述介电层中,其中,所述通孔从所述导电焊盘竖直偏移;和
导电迹线,位于所述介电层上方并将所述导电焊盘电连接到所述通孔,其中,所述导电迹线是弯曲的,并且包括多个区段,并且其中,所述多个区段的相邻区段既不彼此平行也不垂直;以及
第二封装组件,包括:
第一导电焊盘,位于所述第一导电凸块上方并接合到所述第一导电凸块;和
第二导电焊盘,位于所述第二导电凸块上方并接合到所述第二导电凸块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造