[发明专利]用于半导体装置的数字线及主体接触件

权利要求书

1.一种用于形成具有水平定向的存取装置及垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的方法，其包括：

在重复迭代中垂直地沉积第一电介质材料(430、530、630、730)、半导体材料(432、532、632、732、832、932)、及第二电介质材料(433、533、633、733、833)的层以形成垂直堆叠，其中所述半导体材料(432、532、632、732、832、932)包含低掺杂半导体材料，在所述低掺杂半导体材料内形成通过沟道区横向分离的第一源极/漏极区(475、575、675、775、875、975)及第二源极/漏极区(778、878、932)；

使用第一蚀刻剂工艺形成垂直开口(471)以暴露所述垂直堆叠中的垂直侧壁；

选择性地蚀刻所述第二电介质材料(433、533、633、733、833)以形成将所述第二电介质材料(433、533、633、733、833)从所述垂直开口(471)向后移除第一距离(476)的第一水平开口(473)；

在所述低掺杂半导体材料(432、532、632、732、832、932)的顶表面中气相掺杂掺杂剂以形成所述第一源极/漏极区(475、575、675、775、875、975)；

将导电材料(477、577、677、777、877)沉积到所述第一水平开口中的所述第一源极/漏极区(475、575、675、775、875、975)上方的所述顶表面上；

选择性地蚀刻所述导电材料(477、577、677、777、877)、第一源极/漏极区(475、575、675、775、875、975)及所述第一源极/漏极区(475、575、675、775、875、975)下面的所述低掺杂半导体材料的第一部分以形成与所述垂直开口(471)具有水平向后的第二距离(482)的第二水平开口(472)；

在第二水平开口中沉积横向邻近所述导电材料(477、577、677、777、877)及所述第一源极/漏极区(475、575、675、775、875、975)的第三电介质材料(474、574、674、774、874)；及

将高掺杂半导体材料沉积到所述垂直开口中以形成到所述低掺杂半导体材料的第二部分的导电主体接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在重复迭代中垂直地沉积第一电介质材料、半导体材料、及第二电介质材料的层以形成垂直堆叠包括：

沉积氧化物材料作为第一电介质材料；

沉积低掺杂p型(p-)多晶硅作为所述半导体材料；及

沉积氮化硅SiN材料作为所述第二电介质材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括使用第二蚀刻剂工艺选择性地蚀刻所述第二电介质层以形成所述第一水平开口到从所述垂直开口向后横向凹进所述第一距离的第一高度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中沉积导电材料包括经由所述垂直开口沉积含金属材料，以形成到所述水平定向的存取装置中的每一者的水平定向的数字线。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：

从所述垂直开口水平向后选择性地蚀刻所述含金属材料所述第二距离以保持在所述第一源极/漏极区上方且与所述第一源极/漏极区电接触；及

在使用第四蚀刻剂工艺选择性地蚀刻所述第一源极/漏极区及所述第一源极/漏极区下面的所述低掺杂半导体材料的所述第一部分之前使用第三蚀刻剂工艺选择性地蚀刻所述含金属材料以形成所述第二水平开口，所述第二水平开口具有第二高度。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括使用原子层沉积ALE蚀刻剂工艺选择性地蚀刻所述含金属材料。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括沉积氮化硅SiN材料作为所述第三电介质。