[发明专利]一种打线工艺校准方法在审
| 申请号: | 202110579423.3 | 申请日: | 2021-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN115410932A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 毛乾君;王亚平;叶华;费春潮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 工艺 校准 方法 | ||
本申请提供一种打线工艺校准方法,所述方法包括:提供陶瓷管,所述陶瓷管包括:贯穿孔,所述贯穿孔与打线设备的劈刀适配;打火杆,设置在所述陶瓷管内并且垂直所述贯穿孔;在所述贯穿孔的一端设置可拆卸的阻挡件;使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件,标记所述阻挡件位置;调整所述劈刀位置,使所述劈刀端部与打火杆位置水平;拆除所述阻挡件。本申请所述的一种打线工艺校准方法,为陶瓷管的贯穿孔设置阻挡件,以所述阻挡件的位置作为参考界面来调整劈刀位置,使劈刀端部和打火杆水平,可以提高烧球高度的精度,避免打线时对焊垫的损伤,从而提高器件可靠性。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种打线工艺校准方法。
背景技术
在传统的半导体封装工艺中,铜线焊接前需先通过高电压使打火杆与铜线线尾顶端之间产生电弧,短时间的大电流产生的高温使铜线线尾顶端熔融,生成FAB(Free airball,即后续打线焊接在焊垫上的铜球)。在此过程中将打火杆与铜线线尾顶端包裹在一个陶瓷管中,陶瓷管内通合成气体(Forming gas,氮/氢混合气)以防止高温中的FAB氧化。
业界通过大量实验验证,打火杆与铜线线尾顶端的相对高度(即烧球高度)对FAB形成起关键作用。由于陶瓷管是不透明的,维修人员无法直接观察并确认该相对高度,只能凭个人经验及辅助设备推测;同时设备也没有自主校正能力。一旦该烧球高度不当,发生FAB异常,打线时会造成焊垫结构受损,IMD crack(金属间介质层裂缝),cratering(焊垫坑),pad peeling(焊垫剥离),pad short(焊垫短路)等风险。
因此,有必要提供更有效、更可靠的技术方案,来提高打线工艺中烧球高度的精度,避免打线时对焊垫造成损伤等风险,从而提高器件可靠性。
发明内容
本申请提供一种打线工艺校准方法,可以提高烧球高度的精度,避免打线时对焊垫的损伤,从而提高器件可靠性。
本申请的一个方面提供一种打线工艺校准方法,包括:提供陶瓷管,所述陶瓷管包括:贯穿孔,所述贯穿孔与打线设备的劈刀适配;打火杆,设置在所述陶瓷管内并且垂直所述贯穿孔;在所述贯穿孔的一端设置可拆卸的阻挡件;使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件,标记所述阻挡件位置;调整所述劈刀位置,使所述劈刀端部与打火杆位置水平;拆除所述阻挡件。
在本申请的一些实施例中,所述阻挡件为夹具的底部,所述夹具与打线设备的陶瓷管适配,且所述夹具的一端设置有开孔,所述开孔与打线设备的劈刀适配。
在本申请的一些实施例中,所述夹具嵌套于所述陶瓷管上。
在本申请的一些实施例中,所述阻挡件为挡板。
在本申请的一些实施例中,所述挡板粘附于所述贯穿孔的一端。
在本申请的一些实施例中,调整所述劈刀位置,使所述劈刀端部与打火杆位置水平的方法为:使所述劈刀以所述阻挡件位置为起点抽出设定距离。
在本申请的一些实施例中,所述设定距离等于所述打火杆距离所述陶瓷管设置阻挡件的一面的距离。
在本申请的一些实施例中,所述劈刀由打线设备自动控制。
在本申请的一些实施例中,所述打线设备包括处理器和侦测设备,所述劈刀由打线设备自动控制包括:所述处理器自动控制所述劈刀沿所述贯穿孔插入;当所述侦测设备侦测到所述劈刀端部接触到所述阻挡件时所述处理器自动控制所述劈刀停止插入,标记所述阻挡件位置;所述处理器自动控制所述劈刀以所述阻挡件位置为起点抽出设定距离。
在本申请的一些实施例中,使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件的速度为1-10微米/毫秒。
在本申请的一些实施例中,使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件的方式为逐步插入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





