[发明专利]一种打线工艺校准方法在审
| 申请号: | 202110579423.3 | 申请日: | 2021-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN115410932A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 毛乾君;王亚平;叶华;费春潮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 工艺 校准 方法 | ||
1.一种打线工艺校准方法,其特征在于,包括:
提供陶瓷管,所述陶瓷管包括:
贯穿孔,所述贯穿孔与打线设备的劈刀适配;
打火杆,设置在所述陶瓷管内并且垂直所述贯穿孔;
在所述贯穿孔的一端设置可拆卸的阻挡件;
使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件,标记所述阻挡件位置;
调整所述劈刀位置,使所述劈刀端部与打火杆位置水平;
拆除所述阻挡件。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻挡件为夹具的底部,所述夹具与打线设备的陶瓷管适配,且所述夹具的一端设置有开孔,所述开孔与打线设备的劈刀适配。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述夹具嵌套于所述陶瓷管上。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻挡件为挡板。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述挡板粘附于所述贯穿孔的一端。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,调整所述劈刀位置,使所述劈刀端部与打火杆位置水平的方法为:使所述劈刀以所述阻挡件位置为起点抽出设定距离。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述设定距离等于所述打火杆距离所述陶瓷管设置阻挡件的一面的距离。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述劈刀由打线设备自动控制。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述打线设备包括处理器和侦测设备,所述劈刀由打线设备自动控制包括:
所述处理器自动控制所述劈刀沿所述贯穿孔插入;
当所述侦测设备侦测到所述劈刀端部接触到所述阻挡件时所述处理器自动控制所述劈刀停止插入,标记所述阻挡件位置;
所述处理器自动控制所述劈刀以所述阻挡件位置为起点抽出设定距离。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件的速度为1-10微米/毫秒。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件的方式为逐步插入。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述逐步插入的方式为每次插入1-10微米,每次插入之间间隔1-100毫秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





