[发明专利]一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法

权利要求书

1.一种含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于：所述含硅快速图形化嵌段共聚物包含嵌段A和嵌段B；

所述嵌段A含有单体结构单元MA1和/或MA2；

所述嵌段B含有单体结构单元MB1，或所述嵌段B含有单体结构单元MB1以及MB2和/或MB3；

所述MA1的结构：所述MA2的结构：

所述MB1的结构：所述MB2的结构：

所述MB3的结构：

2.根据权利要求1所述的含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MA1和MA2中的R₁选自：取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基、取代或未取代的C1-C20硅烷基、取代或未取代的C1-C20硅氧烷基、取代或未取代的C1-C20锗烷基、取代或未取代的C1-C20锗氧烷基、取代或未取代的C1-C20锡烷基、取代或未取代的C1-C20锡氧烷基；

其中，R₁中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：卤素、羟基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基锗烷基、三甲基锗烷基氧基、三乙氧基锗烷基、三甲基锡烷基、三甲基锡烷基氧基、三乙氧基锡烷基、未取代或被羟基取代的烷基、未取代或被羟基取代的芳基。

3.根据权利要求1所述的含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MB1中的R₂选自：无取代或卤素取代的C1-C10直链烷基、无取代或卤素取代的C1-C10分支烷基、无取代或卤素取代的C6-C20环状烷基；

所述MB1中的R₃选自：H、卤素、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基；

其中，R₃中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：卤素、羟基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基锗烷基、三甲基锗烷基氧基、三乙氧基锗烷基、三甲基锡烷基、三甲基锡烷基氧基、三乙氧基锡烷基、未取代或被羟基取代的烷基、未取代或被羟基取代的芳基。

4.根据权利要求1所述的含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MB2中的R₄选自：H、取代或未取代的含1-5个Si的硅烷基、取代或未取代的含1-5个Ge的锗烷基、取代或未取代的含1-5个Sn的锡烷基、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的烃氧基、取代或未取代的酯基、取代或未取代的C3-C6的环烷基、取代或未取代的C6-C10的芳基、取代或未取代的含1-3个选自N、O、S的C6-C10的杂芳基、羟基、卤素；

其中，R₄中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：C1-C6烷基、含1-5个Si的硅烷基、C1-C6烷氧基取代的含1-5个Si的硅烷基、含1-5个Si的硅烷基氧基、含1-5个Si的硅烷基氧基取代的含1-5个Si的硅烷基氧基、C1-C6烷氧基、羟基。

5.根据权利要求1所述的含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于，所述嵌段B中含有可进行后修饰的结构单元：

所述后修饰为利用选自下述结构的胺类化合物进行修饰：

所述R₅选自：取代或未取代的C1-C18烷基、取代或未取代的C3-C18环烷基、取代或未取代的C1-C18烷氧基、取代或未取代的C3-C18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自N、O、P和S的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自N、O、P、Si和S的杂原子的直链或支链C1-C18烷基、取代或未取代的含1-3个金属原子的C3-C20烷基；

其中，R₅中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：卤素、羟基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基锗烷基、三甲基锗烷基氧基、三乙氧基锗烷基、三甲基锡烷基、三甲基锡烷基氧基、三乙氧基锡烷基、未取代或被羟基取代的烷基、未取代或被羟基取代的芳基；

所述金属原子选自：Fe、Ti、Hf、V、Zr、Ge、Sn。