[发明专利]光掩模的修正方法在审
申请号: | 202110571824.4 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113721419A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 齐藤隆史;上南亮太 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
主分类号: | G03F1/78 | 分类号: | G03F1/78;G03F1/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 修正 方法 | ||
1.一种光掩模的修正方法,其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1,取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性;
步骤S2,为了使得从由所述修正膜构成的图案转印的光致抗蚀剂的形状与从所述相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致,而求出由所述修正膜构成的图案的修正量的所述修正膜的膜厚依赖性;
步骤S3,执行所述光掩模的缺陷检查,当在所述相移图案中检出白缺陷的情况下,确定所检出的所述各白缺陷的位置;
步骤S4,对应所述各白缺陷确定所述修正膜的膜厚及由所述修正膜构成的图案的所述修正量;以及
步骤S5,在包含各白缺陷的区域形成修正膜。
2.根据权利要求1所述的光掩模的修正方法,其特征在于,所述修正膜的光学特性与所述相移膜的光学特性大致相同。
3.根据权利要求1或2所述的光掩模的修正方法,其特征在于,在所述步骤S5中,使用金属离子通过聚焦离子束装置来形成修正膜。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,所述修正膜由类钻碳构成。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,所述相移膜由氧化铬构成。
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