[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，包括基底以及位于所述基底上阵列排布的像素单元，所述基底包括在衬底上形成的像素电路，每个所述像素单元中均包括：

第一电极，位于所述基底的一侧；

发光层，位于所述第一电极远离所述基底的一侧；以及

第二电极，位于所述发光层远离所述第一电极的一侧；

其特征在于，所述显示基板还包括：

位于所述第一电极和所述基底之间的反光层，所述第一电极与所述反光层绝缘设置，所述第一电极通过贯穿所述反光层的过孔与所述像素电路连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相邻像素单元的所述过孔之间的最小距离大于相邻像素单元的所述第一电极之间的最小距离。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述过孔在所述第一电极上的正投影与所述第一电极边缘之间的最小距离为D1，所述过孔在所述第一电极上的正投影与所述第一电极中心的距离为D2，D1小于D2。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，不同像素单元的所述反光层连接为一体。

5.根据权利要求1或4所述的显示基板，其特征在于，所述反光层与所述显示基板的显示区域的面积比大于90％。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层采用导电反光层，所述导电反光层与所述第一电极之间间隔有绝缘层。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层的厚度为400-1000埃。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层采用绝缘反光层，所述绝缘反光层包括至少一个二氧化硅膜层和至少一个氮化硅膜层，所述二氧化硅膜层和所述氮化硅膜层交替层叠。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘反光层包括三个二氧化硅膜层和三个氮化硅膜层，所述绝缘反光层对波长为400～700nm的光的反射率大于80％。

10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极的厚度为500～1200埃。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10中任一项所述的显示基板以及用于驱动所述显示基板的驱动电路。

12.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括基底以及位于所述基底上阵列排布的像素单元，所述基底包括在衬底上形成的像素电路，所述制作方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一电极；

在所述第一电极远离所述基底的一侧形成发光层；以及

在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极；

其特征在于，所述显示基板的制作方法还包括：

在所述第一电极和所述基底之间形成反光层，所述第一电极与所述反光层绝缘设置，所述第一电极通过贯穿所述反光层的过孔与所述像素电路连接。

13.根据权利要求12所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述反光层采用导电反光层，所述制作方法还包括：

在所述导电反光层与所述第一电极之间形成绝缘层。

14.根据权利要求12所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述反光层采用绝缘反光层，形成所述反光层包括：

形成至少一个二氧化硅膜层和至少一个氮化硅膜层，所述二氧化硅膜层和所述氮化硅膜层交替层叠。