[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的电子系统

说明书

一种半导体器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；多个栅极线，在衬底的存储单元区域中在竖直方向上彼此竖直地重叠，每个栅极线包括第一金属；阶梯状连接单元，在连接区域中，该阶梯状连接单元包括多个导电焊盘区域，每个导电焊盘区域包括第一金属并且一体地连接到多个栅极线中的相应栅极线；多个接触结构，与阶梯状连接单元竖直地重叠，每个接触结构连接到多个导电焊盘区域中的分别对应的导电焊盘区域并且包括第二金属；以及至少一个金属硅化物层，在至少一个接触结构与分别对应的导电焊盘区域之间。

相关申请的交叉引用

本申请基于以下申请并要求以下申请的优先权：2020年8月12日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2020-0101398，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的方面涉及一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统，更具体地，涉及一种包括非易失性竖直型存储元件的半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统。

背景技术

可以在电子系统中存储大量数据的半导体器件日益受到人们的青睐。已经研究了用于增大半导体器件的数据存储容量的方法和技术。例如，已经提出了一种用于增大半导体器件的数据存储容量的技术在于包括竖直存储元件，该竖直存储元件包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元。

发明内容

本公开的一些方面提供了一种半导体器件，该半导体器件包括三维布置的存储单元，并且即使用于集成改进的字线的层数增加并且连接到字线的接触部的数量和布线的数量增加，该半导体器件也可以维持期望的电特性。

本公开的一些方面提供了一种电子系统，该电子系统包括半导体器件，该半导体器件包括三维布置的存储单元，并且即使用于集成改进的字线的层数增加并且连接到字线的接触部的数量和布线的数量增加，该半导体器件也可以维持期望的电特性。

根据本发明构思的一些方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；多个栅极线，在衬底的存储单元区域中彼此竖直地重叠，每个栅极线包括第一金属；阶梯状连接单元，该阶梯状连接单元包括多个导电焊盘区域，每个导电焊盘区域一体地连接到多个栅极线中的相应栅极线并且包括第一金属；多个接触结构，与阶梯状连接单元竖直地重叠，每个接触结构连接到多个导电焊盘区域中的分别对应的导电焊盘区域并且包括第二金属；以及至少一个金属硅化物层，在至少一个接触结构与分别对应的导电焊盘区域之间。

根据本发明构思的一些方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；栅极堆叠，包括与第一导电焊盘区域一体地连接的第一栅极线，该第一栅极线在存储单元区域中在与衬底的主表面平行的水平方向上延伸，并且该第一导电焊盘区域在连接区域中在水平方向上延伸，并且该第一栅极线和导电焊盘区域均包括第一金属；接触结构，在连接区域中在竖直方向上延伸，该接触结构包括第二金属；以及金属硅化物层，在第一导电焊盘区域与接触结构之间，该金属硅化物层接触第一导电焊盘区域和接触结构。

根据本发明构思的一方面，一种电子系统包括：主衬底；半导体器件，在主衬底上；以及控制器，电连接到主衬底上的半导体器件，其中，该半导体器件包括：器件衬底，包括存储单元区域和连接区域；栅极堆叠，包括与导电焊盘区域一体地连接的栅极线，该栅极线在衬底的存储单元区域中在与衬底的主表面平行的水平方向上延伸，并且该导电焊盘区域在连接区域中在水平方向上延伸，并且该栅极线和该导电焊盘区域均包括第一金属；接触结构，在连接区域中竖直地延伸，并且包括第二金属；金属硅化物层，在所述导电焊盘区域与所述接触结构之间；外围电路区域，与栅极堆叠间隔开；以及输入/输出焊盘，在器件衬底上。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明构思的一些示例实施例，在附图中：

图1是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的框图；

图2是根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的示意性透视图；