[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的电子系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括存储单元区域和连接区域；

多个栅极线，在所述存储单元区域中彼此竖直地重叠，每个栅极线包括第一金属；

阶梯状连接单元，在所述连接区域中，所述阶梯状连接单元包括多个导电焊盘区域，每个导电焊盘区域一体地连接到所述多个栅极线中的相应栅极线并且包括所述第一金属；

多个接触结构，与所述阶梯状连接单元竖直地重叠，每个接触结构连接到所述多个导电焊盘区域中的分别对应的导电焊盘区域并且包括第二金属；以及

至少一个金属硅化物层，在至少一个接触结构与分别对应的导电焊盘区域之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属包括钨(W)，并且其中，所述至少一个金属硅化物层包括WSi、WSiN、WSiO或其组合。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个金属硅化物层包括第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层接触所述多个导电焊盘区域中的第一导电焊盘区域，并且其中，所述第一金属硅化物层的最下表面与所述第一导电焊盘区域的下表面间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个金属硅化物层包括第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层接触所述多个导电焊盘区域中的第一导电焊盘区域，并且其中，所述第一金属硅化物层与所述第一导电焊盘区域的上表面和下表面中的至少一个表面接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个金属硅化物层包括第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层接触所述多个接触结构中的第一接触结构的下表面和所述多个导电焊盘区域中的第一导电焊盘区域，并且其中，所述第一金属硅化物层的宽度在水平方向上小于所述第一接触结构的宽度，并且所述第一金属硅化物层的高度在竖直方向上小于所述第一导电焊盘区域的高度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个金属硅化物层包括第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层接触所述多个接触结构中的第一接触结构的下表面和所述多个导电焊盘区域中的第一导电焊盘区域，并且其中，所述第一金属硅化物层与所述第一导电焊盘区域的上表面和下表面间隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个金属硅化物层包括第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层接触所述多个接触结构中的第一接触结构的下表面和所述多个导电焊盘区域中的第一导电焊盘区域，并且其中，所述第一金属硅化物层接触所述第一导电焊盘区域的上表面和下表面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个金属硅化物层包括第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层接触所述多个接触结构中的第一接触结构的下表面和所述多个导电焊盘区域中的第一导电焊盘区域，并且其中，所述第一金属硅化物层的最下表面的水平高度低于所述第一导电焊盘区域的最上表面的水平高度，并且所述第一金属硅化物层的最上表面的水平高度高于所述第一导电焊盘区域的最上表面的水平高度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个金属硅化物层包括多个金属硅化物层，所述多个金属硅化物层在所述多个导电焊盘区域中的每个导电焊盘区域与所述多个接触结构中的分别对应的接触结构之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导电焊盘区域中的至少一个导电焊盘区域直接连接到分别对应的接触结构，而在所述至少一个导电焊盘区域与所述分别对应的接触结构之间没有金属硅化物层。