[发明专利]阵列基板及阵列基板的制造方法

说明书

本申请涉及显示面板制造技术，公开了阵列基板及阵列基板的制造方法，该阵列基板的制造方法包括：在基板上形成含有铜的第一金属层走线；采用氢气对第一金属层走线进行预处理；在预处理后的第一金属层走线表面以第一沉积速率沉积由氮硅化合物形成的第一绝缘层；在第一绝缘层表面以第二沉积速率沉积由氮硅化合物形成的第二绝缘层。该阵列基板包括：在基板表面依次层叠的第一金属层走线、第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层和第二金属层走线。本申请公开的阵列基板及阵列基板的制造方法，可避免铜离子扩散，电性好，可减少铜尖刺的产生，减少静电释放的发生。

技术领域

本申请涉及显示面板制造技术领域，特别涉及阵列基板及阵列基板的制造方法。

背景技术

阵列基板是显示面板中的重要部件。阵列基板中，包括依次设置的第一金属层(M1)和绝缘层，第一金属层上具有第一金属层走线。随着显示面板技术的发展，铜作为导电材料，可提高显示面板的分辨率和亮度，显示效果好，且线负载率低。现有的阵列基板的制造方法中，绝缘层为氮硅化合物(SiNx)，第一金属层走线为铜，制造时，常在第一金属层走线表面直接形成绝缘层，现有的阵列基板的制造方法，铜离子易扩散进入绝缘层，影响阵列基板的电性，且第一金属从走线和绝缘层易形成铜尖刺(hillock)，造成静电释放(ESD)高发。

上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本申请的主要目的是提供阵列基板及阵列基板的制造方法，旨在解决现有技术中铜易扩散进入绝缘层影响电性及易形成铜尖刺的技术问题。

为实现上述目的，本申请提出的阵列基板的制造方法，该阵列基板的制造方法包括步骤：

在基板上形成含有铜的第一金属层走线；

采用氢气对第一金属层走线进行预处理，以将第一金属层走线上的铜离子还原；

以第一流速向预处理后的第一金属层走线表面供入沉积气体，并提供第一沉积能量，以使在预处理后的第一金属层走线表面以第一沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第一绝缘层；

以及，以第二流速向形成的第一绝缘层的表面供入沉积气体，并提供第二沉积能量，以使在第一绝缘层的表面以第二沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二绝缘层；

其中，第二流速大于第一流速，第二沉积能量大于第一沉积能量，第二沉积速率大于第一沉积速率。

可选地，以第二流速向形成的第一绝缘层的表面供入沉积气体，并提供第二沉积能量，以使在第一绝缘层的表面以第二沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二绝缘层的步骤中，包括步骤：

以第一段流速向形成的第一绝缘层的表面供入沉积气体，并提供第一段沉积能量，以使在第一绝缘层的表面以第一段沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第一层绝缘结构；

以第二段流速向形成的第一层绝缘结构的表面供入沉积气体，并提供第二段沉积能量，以使在第一层绝缘结构的表面以第二段沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二层绝缘结构；

其中，第一段流速大于第一流速，第二段流速大于第一段流速，第一段沉积能量大于第一沉积能量，第二段沉积能量大于第一段沉积能量，第一段沉积速率大于第一沉积速率，第二段沉积速率大于第一段沉积速率，第二绝缘层包括第一层绝缘结构和第二层绝缘结构。

可选地，以第二流速向形成的第一绝缘层的表面供入沉积气体，并提供第二沉积能量，以使在第一绝缘层的表面以第二沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二绝缘层的步骤中，包括步骤：

形成第一绝缘层后，将供入沉积气体的流速由第一流速转换为第二流速，并以第二流速向形成的第一绝缘层的表面供入沉积气体；