[发明专利]阵列基板及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：

在基板上形成含有铜的第一金属层走线；

采用氢气对所述第一金属层走线进行预处理；

以第一流速向预处理后的所述第一金属层走线表面供入沉积气体，并提供第一沉积能量，以使在预处理后的所述第一金属层走线表面以第一沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第一绝缘层；

以及，以第二流速向形成的所述第一绝缘层的表面供入所述沉积气体，并提供第二沉积能量，以使在所述第一绝缘层的表面以第二沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二绝缘层；

其中，所述第二流速大于所述第一流速，所述第二沉积能量大于所述第一沉积能量，所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率；

所述以第二流速向形成的所述第一绝缘层的表面供入所述沉积气体，并提供第二沉积能量，以使在所述第一绝缘层的表面以第二沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二绝缘层的步骤中，包括步骤：

以第一段流速向形成的所述第一绝缘层的表面供入所述沉积气体，并提供第一段沉积能量，以使在所述第一绝缘层的表面以第一段沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第一层绝缘结构；

以第二段流速向形成的所述第一层绝缘结构的表面供入所述沉积气体，并提供第二段沉积能量，以使在所述第一层绝缘结构的表面以第二段沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二层绝缘结构；

其中，所述第一段流速大于所述第一流速，所述第二段流速大于所述第一段流速，所述第一段沉积能量大于所述第一沉积能量，所述第二段沉积能量大于所述第一段沉积能量，所述第一段沉积速率大于所述第一沉积速率，所述第二段沉积速率大于所述第一段沉积速率，所述第二绝缘层包括所述第一层绝缘结构和所述第二层绝缘结构；

所述以第二流速向形成的所述第一绝缘层的表面供入所述沉积气体，并提供第二沉积能量，以使在所述第一绝缘层的表面以第二沉积速率沉积氮硅化合物，以形成第二绝缘层的步骤中，包括步骤：

形成所述第一绝缘层后，将供入所述沉积气体的流速由所述第一流速转换为所述第二流速，并以所述第二流速向形成的所述第一绝缘层的表面供入所述沉积气体；

由所述第一流速转换为所述第二流速且维持一预设时间后，将提供的所述第一沉积能量转换为所述第二沉积能量，以使在所述第一绝缘层的表面以第二沉积速率沉积氮硅化合物，以形成所述第二绝缘层；

所述第二流速、所述第二沉积能量和所述第二沉积速率保持不变。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括步骤：

在形成的所述第二绝缘层的表面沉积由无定性硅形成的半导体层；

在形成的所述半导体层的表面形成含有铜的第二金属层走线；

采用无氯反应气对形成所述第二金属层走线后的所述半导体层进行刻蚀。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用无氯反应气对形成所述第二金属层走线后的所述半导体层进行刻蚀的步骤中，包括步骤：

在形成的所述第二金属层走线表面沉积光刻胶，以对所述光刻胶朝向所述半导体层方向的垂直投影区域进行遮盖；

采用所述无氯反应气对所述半导体层上未被所述光刻胶遮盖的区域进行刻蚀；

所述采用所述无氯反应气对所述半导体层上未被所述光刻胶遮盖的区域进行刻蚀的步骤完成后，采用清除剂去除所述第二金属层走线表面沉积的所述光刻胶。

5.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用无氯反应气对形成所述第二金属层走线后的所述半导体层进行刻蚀的步骤之前，还包括步骤：

采用氢气对形成的所述第二金属层走线进行预处理，以将所述第二金属层走线上的铜离子还原。

6.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述无氯反应气为氢气与无氯刻蚀气的混合气。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层走线，由含铜材质制成，形成于所述基板的表面；

第一绝缘层，沉积于所述第一金属层走线的表面；

第二绝缘层，沉积于所述第一绝缘层的表面；

半导体层，沉积于所述第二绝缘层的表面；

以及第二金属层走线，形成于所述半导体层的表面。