[发明专利]设备的制造方法、设备制造装置以及安装构造体在审
申请号: | 202110555097.2 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113745122A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 生田敬子;樱井大辅;糸井清一 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/607;H01L23/544;G01B7/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩丁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 设备 制造 方法 装置 以及 安装 构造 | ||
本公开提供一种设备的制造方法、设备制造装置以及安装构造体。在具备经由凸块(104)而进行超声波接合的芯片(102)和与芯片(102)对置的基板(106)的设备制造装置(300)的检查方法中,包含:在凸块(102)被按压的基板电极(105)的正下方埋设有多个传感器(107)的基板(106),安装设置于芯片(102)的凸块(104)时,对多个传感器(107)各自的电阻值变化进行测定的步骤;和基于电阻值变化,推断凸块(104)向基板电极(105)的接合面的步骤。由此,能够高精度地计算芯片(102)向基板(106)的安装位置的偏移量。
技术领域
本公开涉及设备的制造方法以及设备制造装置和安装构造体。
背景技术
以往,作为经由凸块来将芯片安装于基板的方法,已知作为固相接合之一的超声波接合、热压接方法。凸块是基板上的布线引线或者形成于芯片的突起状的连接电极。
具体地说,在通过超声波接合来将芯片安装于基板时,在将配置于芯片以及基板的一个电极的凸块按压于芯片以及基板的另一个电极的状态下,赋予超声波振动。由此,促进凸块与电极的塑性变形,凸块以及电极的相互的新生面紧密接触。其结果,凸块以及电极的相互的金属原子扩散,凸块与电极接合。
在超声波接合、热压接方法中,使用倒装芯片接合器。倒装芯片接合器具有过程中的安装荷重、超声波功率的监视功能。但是,上述监视功能仅对施加于芯片整体的安装荷重和超声波功率的值进行监视。因此,在上述倒装芯片接合器中,难以进行作用于芯片上或者基板上的电极与凸块的接合部的力、即变形的测定。
因此,例如,JP专利第3599003号公报(以下,记为“专利文献1”)中公开的现有技术是在形成凸块的电极的正下方设置应变仪并对安装过程中的应变仪的电阻值的变化进行测定。由此,构成为能够测定在电极与凸块的接合部产生的变形。应变仪在1根电阻元件将多个导体以等间距配置并形成为直线状,在电极的正下方被埋设一个。
在这种现有技术中,直线状地形成的应变仪在电极的正下方被埋设一个。因此,即使凸块向电极的按压力一定,若在电极上凸块的位置变化,则由应变仪测定的变形量会产生偏差。换句话说,例如,在基于应变仪的测定值来计算芯片向基板的安装位置的偏移量(位置偏移量)的情况下,若变形量产生偏差,则位置偏移量的计算精度降低。位置偏移量受设备的组装精度影响,因此较大左右MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、光学设备的做工。换句话说,在现有技术中,在计算位置偏移量上存在改善的余地。
发明内容
本公开提供一种能够高精度地计算芯片向基板的安装位置的偏移量的设备制造装置的检查方法以及设备制造装置。
本公开的一实施例是具备经由凸块而超声波接合的芯片和与芯片对置的基板的设备制造装置的检查方法。设备制造装置的检查方法包含:在凸块被按压的电极的正下方埋设有多个传感器的基板,安装设置于芯片的凸块时,对多个传感器的各个电阻值变化进行测定的步骤。进一步地,包含基于电阻值变化,推断凸块向电极的接合面的步骤;和基于被推断的接合面,判断芯片与基板的接合状态是否合格的步骤。
此外,本公开的一实施例所涉及的设备制造装置具备:工作台,对经由凸块而与芯片接合的基板进行保持;和接合头,将芯片向基板按压,并且对芯片赋予超声波振动。进一步地,具备:在凸块被按压的电极的正下方埋设有多个传感器的基板,安装设置于芯片的凸块时,对多个传感器的各个电阻值变化进行测定的测定部;和处理部,基于电阻值变化,判断凸块向电极的接合面。
通过本公开,能够提供一种能够高精度地计算芯片向基板的安装位置的偏移量的设备的制造方法以及设备制造装置和安装构造体。
另外,本公开中的进一步的优点以及效果根据以下说明的说明书以及附图而清楚。此外,该优点以及/或者效果通过几个实施方式以及说明书及附图所述的特征而被分别提供,但不必为了得到一个或者其以上的相同的特征而提供全部。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造