[发明专利]双色探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种双色探测器，其特征在于，包括：依次生长在GaAs衬底上的平滑层、成核层、GaSb或AlSb第一缓冲层、AlInSb第二缓冲层、InAsSb中长波通道层、InGaSb间隔层和InGaSb短中波通道层，所述InAsSb中长波通道层由下至上包括：第一N型下接触层、N型吸收层、B型AlInSb势垒层及N型上接触层，所述InGaSb短中波通道层由下至上包括：第二N型下接触层、I型吸收层和P型上接触层，所述第一N型下接触层之上设有下电极，所述P型上接触层之上设有上电极，所述上电极和下电极通过钝化层隔绝。

2.如权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述成核层材料为GaSb或AlSb，生长速度为0.15～0.45ML/s，厚度为100～200nm；GaSb或AlSb第一缓冲层生长速度为0.45～0.75ML/s，厚度为800～1200nm；所述AlInSb第二缓冲层Al组分质量占比为10％～90％，厚度为2～3μm；所述InAsSb中长波通道层中As的组分质量占比为10％～90％；InGaSb短中波通道层中Ga的组分质量占比为10％～90％。

3.如权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述AlInSb第二缓冲层为可变结构缓冲层，包括：

具有Al组分界面的缓冲层，依次包括50nm～500nm厚的Al_xIn_1-xSb界面层、1.5μm～2.5μm厚的Al_yIn_1-ySb缓冲层，x取值范围为0.1～0.9，y取值为x-0.1；

或者具有一定周期超晶格结构的缓冲层，依次包括三周期Al_xIn_1-xSb/Al_yIn_1-ySb界面层、1.5μm～2.5μm厚的Al_yIn_1-ySb缓冲层，x取值范围为0.1～0.9，y取值为x-0.1，界面层中，每一周期的Al_xIn_1-xSb和Al_yIn_1-ySb厚度均为16nm～83nm。

4.如权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述InAsSb中长波通道层的第一N型下接触层为N型掺杂，掺杂浓度为1.0×10¹⁸～3.0×10¹⁸cm^-3，厚度为500nm～700nm；

所述InAsSb中长波通道层的N型吸收层为n型掺杂，掺杂浓度为1.0×10¹⁷～3.0×10¹⁷cm^-3，厚度为2μm～3μm；

所述InAsSb中长波通道层的B型AlInSb势垒层为n型掺杂，掺杂浓度为1.0×10¹⁷～3.0×10¹⁷cm^-3，厚度为200nm～400nm；

所述InAsSb中长波通道层的N型上接触层为N型掺杂，掺杂浓度为1.0×10¹⁸～3.0×10¹⁸cm^-3，厚度为500nm～1μm。

5.如权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述InGaSb短中波通道层的第二N型下接触层为N型掺杂，掺杂浓度为1.0×10¹⁸～3.0×10¹⁸cm^-3，厚度为400nm～700nm；

所述InGaSb短中波通道层的I型吸收层为非故意掺杂，厚度为1.5～2.5μm；

所述InGaSb短中波通道层的P型上接触层为P型掺杂，掺杂浓度为1.0×10¹⁸～3.0×10¹⁸cm^-3，厚度为400nm～700nm。