[发明专利]划切由载具支撑的晶片或基板的方法

说明书

描述了划切由载具支撑的晶片或基板的方法以及用于划切半导体晶片的载具，每一个晶片都具有多个集成电路。在示例中，用于在蚀刻工艺中支撑晶片或基板的载具包含框，所述框具有环绕内开口的周界。所述载具也包含带，所述带耦合至所述框，并且设置在所述框的所述内开口下方，所述带包括设置在支撑层上方的蚀刻终止层。

本申请是申请日为2014年11月26日、申请号为201480066583.6、名称为“用于划切晶片的方法与载具”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2014/067762)的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请主张于2013年12月10日提交的美国临时申请第61/914,323号的权益，此美国临时申请的完整内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体处理领域，并且特别涉及划切半导体晶片的方法以及用于划切半导体晶片的载具，所述半导体晶片中的每一个上都具有多个集成电路。

背景技术

在半导体晶片处理中，集成电路形成在由硅或其他半导体材料组成的晶片(也称为基板)上。一般而言，利用半导电的、导电的或绝缘的各种材料层来形成集成电路。使用各种公知工艺来掺杂、沉积并蚀刻这些材料以形成集成电路。每一个晶片经处理以形成大量含有被称作管芯(dice)的集成电路的单个区域。

在集成电路形成工艺之后，晶片经“划切(dice)”以将单个管芯彼此分开以用于封装或用于在较大电路内以未封装形式使用。用于晶片划切的两个主要技术为划片(scribing)和锯切(sawing)。对于划片，沿预先形成的划片线(scribe line)、跨晶片表面来移动尖端镶有金刚石的划片器。这些划片线沿管芯之间的空间延伸。这些空间通常被称作“划切道(street)”。金刚石划片器沿划切道、在晶片表面中形成浅划痕(scratch)。当施加压力时(例如，使用滚轴(roller))，晶片沿划片线分开。晶片中的破裂遵循晶片基板的晶格结构。划片可用于厚度约10密耳(千分之一英寸)或更小的晶片。对于较厚的晶片，当前锯切是用于划切的较佳方法。

对于锯切，以每分钟高转数旋转的尖端镶有金刚石的锯接触晶片表面，并且沿划切道来锯切晶片。晶片安装在支撑构件(例如，跨膜框伸展的附着膜)上，并且重复地将锯应用于竖直划切道和水平划切道两者。划片或锯切中的任一者的一个问题在于，碎片(chip)和凿痕(gouge)可能沿管芯的被切断的边缘形成。此外，裂缝(crack)可能形成且从管芯的边缘传播到基板中，并且导致集成电路无效。碎裂(chipping)和开裂(cracking)对于划片尤其是问题，因为方形或矩形的管芯仅一侧可以沿结晶结构的110方向被划片。因此，管芯的另一侧的裂开导致锯齿状(jagged)的分离线。由于碎裂和开裂，在晶片上的管芯之间需要附加的间隔以防止对集成电路的损伤，例如，以距实际集成电路某个距离来维持碎片和裂缝。作为间隔要求的结果，在标准的尺寸经设定的晶片上没有那么多管芯可形成，并且浪费了否则可用于电路的晶片可用区(wafer real estate)。锯切的使用加剧了半导体晶片上的可用区的浪费。锯的刀刃约15微米厚。由此，为了确保由锯引起的环绕切口的开裂和其他损伤不伤害集成电路，经常必须将管芯中的每一个的电路分开三百微米到五百微米。此外，在划切之后，每一个管芯需要大量清洁来去除源自锯切工艺的微粒和其他污染物。

也已使用等离子体划切，但它也可能具有限制。例如，妨碍等离子体划切实现的一个限制可能是成本。用于图案化光阻的标准光刻操作可能导致实现成本过高。可能妨碍等离子体划切实现的另一限制在于，在沿划切道划切时，对常见金属(例如，铜)的等离子体处理可能产生生产问题或产量限制。

发明内容

本发明的实施例包含划切半导体晶片的方法以及用于划切半导体晶片的载具。

在实施例中，用于在蚀刻工艺中支撑晶片或基板的载具包含框，所述框具有环绕内开口的周界。所述载具也包含带，所述带耦合至所述框，并且设置在所述框的所述内开口下方。所述带包含设置在支撑层上方的蚀刻终止层。