[发明专利]划切由载具支撑的晶片或基板的方法

权利要求书

1.一种划切由载具支撑的晶片或基板的方法，所述方法包括以下步骤：

通过等离子体工艺蚀刻所述晶片或基板，其中所述载具包括：具有环绕内开口的周界的框、以及耦合至所述框并且设置在所述框的所述内开口下方的带，并且其中所述带包括蚀刻终止层，所述蚀刻终止层设置在支撑层上方，所述蚀刻终止层包括二氧化硅层；以及

在蚀穿所述晶片或基板并使所述载具暴露之后检测蚀刻副产物的改变，其中在蚀穿所述晶片或基板并使所述载具暴露之后检测蚀刻副产物的所述改变包括：在使所述蚀刻终止层暴露之后检测所述改变。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过使用光学发射传感器(OES)终点检测系统或激光终点系统来执行所述检测。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在检测到蚀刻副产物的所述改变之后，终止所述蚀刻。

4.如权利要求1所述的方法，其中通过所述等离子体工艺蚀刻所述晶片或基板的步骤使所述晶片或基板单颗化为单个的管芯或集成电路。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在通过所述等离子体工艺蚀刻所述晶片或基板之前，在所述晶片或基板上形成蚀刻掩模。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

在形成所述蚀刻掩模之后且在蚀刻所述晶片或基板之前，激光划片所述蚀刻掩模以使所述晶片或基板的划切道暴露。

7.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

在蚀刻所述晶片或基板之后，去除所述蚀刻掩模。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述带进一步包括附着层，所述附着层设置在所述蚀刻终止层上方。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述带进一步包括管芯附着膜(DAF)，所述管芯附着膜(DAF)设置在所述蚀刻终止层上方。