[发明专利]一种显示面板的制备方法在审
申请号: | 202110537599.2 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113327891A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 陈皓 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/15;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板的制备方法,先在第一金属接线层上形成第一遮盖膜,再形成连接第一金属接线层和第二金属接线层的导电层,该导电层包括与基板侧面接触的垂直部分,与第一金属接线层和第一遮盖膜接触的第一横向部分,以及与第二金属接线层接触的第二横向部分。其中,第一金属接线层具有第一接线边缘,第一遮盖膜具有第一遮盖膜边缘,且第一遮盖膜边缘比第一接线边缘更远离基板侧面,而使第一接线边缘外露于第一遮盖膜边缘。由于第一遮盖膜边缘都是均匀平整的,所以形成的导电层在第一遮盖膜边缘也是均匀且平整的,从而导电层与第一接线边缘搭接的地方平整度也会提高,进而改善了导电层的扩散均匀性,导通效果更好。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的制备方法。
背景技术
在显示领域中,无边框或者窄边框显示器逐渐成为主流。对于显示器,例如液晶显示器(Liquid Crystals Display,LCD)、有机电致发光显示器(Organic Light-EmittingDisplay,OLED)、发光二极管(light emitting diode,LED)显示器而言,屏幕尺寸越大,制造难度以及单位面积的制造成本越高。因此,大型显示器通常采用多块中小型显示器拼接而成。
目前面板呈现多元化,其中Mini LED的解析度和色彩度接近OLED,优于LCD;且功耗较低,更轻薄。Mini/Micro LED无缝拼接最理想的方式是采用Back Bonding方式。BackBonding是将TFT及LED芯片放在正面,而驱动芯片置于玻璃背面,通过在玻璃侧面和拐角转印导电材料,使玻璃正反两面Pad形成导通,再进行模组制程。
但是在转印导电材料时,由于玻璃正面的Pad是由一条条金属线排列而成,即Pad边缘不是平整的,而且导电材料的流平性较差,会导致转印的导电材料与Pad的交界处呈锯齿状,即导电层的扩散不均匀,从而容易导致导通不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板的制备方法,旨在改善导电层的扩散均匀性,提高导通效果。
本发明提供一种显示面板的制备方法,包括:
提供基板,所述基板包括正面、背面和位于所述正面与所述背面之间的侧面,所述基板包括位于所述正面的显示区和靠近所述侧面的非显示区;
在基板正面的非显示区形成第一金属接线层,并在基板背面形成第二金属接线层,且所述第一金属接线层具有靠近且沿所述侧面延伸的第一接线边缘;
在所述第一金属接线层上形成第一遮盖膜,所述第一遮盖膜具有沿所述第一接线边缘延伸的第一遮盖膜边缘,且所述第一遮盖膜边缘比所述第一接线边缘远离所述侧面,而使所述第一接线边缘外露于所述第一遮盖膜边缘;
形成连接所述第一金属接线层和第二金属接线层的导电层,所述导电层包括与所述侧面接触的垂直部分,与所述第一金属接线层和所述第一遮盖膜接触的第一横向部分,以及与所述第二金属接线层接触的第二横向部分。
进一步优选的,所述制备方法还包括:在所述第二金属接线层的下方形成第二遮盖膜,所述第二金属接线层具有靠近且沿所述侧面延伸的第二接线边缘,且所述第二遮盖膜具有沿所述第二接线边缘延伸的第二遮盖膜边缘,所述第二遮盖膜边缘比所述第二接线边缘远离所述侧面。
进一步优选的,形成所述第一遮盖膜的步骤,包括:
在所述第一金属接线层的上方贴附一层遮盖膜,所述遮盖膜遮挡所述第一金属接线层;
采用激光切除所述遮盖膜靠近所述侧面的部分,以形成所述第一遮盖膜,并使所述第一金属接线露出部分上表面。
进一步优选的,所述制备方法还包括:
对所述导电层进行预固化;
将所述第一遮盖膜撕除;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造