[发明专利]一种显示面板的制备方法在审
申请号: | 202110537599.2 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113327891A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 陈皓 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/15;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板包括正面、背面和位于所述正面与所述背面之间的侧面,所述基板包括位于所述正面的显示区和靠近所述侧面的非显示区;
在基板正面的非显示区形成第一金属接线层,并在基板背面形成第二金属接线层,且所述第一金属接线层具有靠近且沿所述侧面延伸的第一接线边缘;
在所述第一金属接线层上形成第一遮盖膜,所述第一遮盖膜具有沿所述第一接线边缘延伸的第一遮盖膜边缘,且所述第一遮盖膜边缘比所述第一接线边缘远离所述侧面,而使所述第一接线边缘外露于所述第一遮盖膜边缘;
形成连接所述第一金属接线层和第二金属接线层的导电层,所述导电层包括与所述侧面接触的垂直部分,与所述第一金属接线层和所述第一遮盖膜接触的第一横向部分,以及与所述第二金属接线层接触的第二横向部分。
2.根据权利要求1所述显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述第二金属接线层的下方形成第二遮盖膜,所述第二金属接线层具有靠近且沿所述侧面延伸的第二接线边缘,且所述第二遮盖膜具有沿所述第二接线边缘延伸的第二遮盖膜边缘,所述第二遮盖膜边缘比所述第二接线边缘远离所述侧面。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,形成所述第一遮盖膜的步骤,包括:
在所述第一金属接线层的上方贴附一层遮盖膜,所述遮盖膜遮挡所述第一金属接线层;
采用激光切除所述遮盖膜靠近所述侧面的部分,以形成所述第一遮盖膜,并使所述第一金属接线露出部分上表面。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
对所述导电层进行预固化;
将所述第一遮盖膜撕除;
对所述导电层进行二次固化。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第二金属接线层具有靠近且沿所述侧面延伸的第二接线边缘,在形成所述导电层的步骤后,所述第一横向部分位于所述正面,且与所述第一遮盖膜边缘、所述第一金属接线层的部分上表面和所述第一接线边缘接触;所述第二横向部分位于所述背面,且与所述第二接线边缘和所述第二金属接线层的部分下表面接触。
6.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在形成所述导电层的步骤后,所述第一横向部分位于所述正面,且与所述第一遮盖膜边缘、所述第一金属接线层的部分上表面和所述第一接线边缘接触;所述第二横向部分位于所述背面,且与所述第二接线边缘、所述第二金属接线层的部分下表面和所述第二遮盖膜边缘接触。
7.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
形成位于所述背面且与所述第二金属接线层连接的覆晶薄膜;
形成位于所述背面且与所述覆晶薄膜绑定的驱动芯片。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述基板上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层与所述第一金属接线层电连接;
在所述薄膜晶体管层上形成发光单元,所述发光单元与所述薄膜晶体管层电连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一遮盖膜的材质包括聚酰亚胺。
10.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一接线边缘与所述第一遮盖膜边缘的水平距离为15~25微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造