[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底层；

在所述衬底层表面形成绝缘层；

在所述绝缘层表面形成栅极；

将所述衬底层的预设区域刻蚀，形成两个空缺区域；所述预设区域为所述栅极在所述衬底层表面投影的外侧区域，所述空缺区域的深度大于所述衬底层的顶层硅厚度；

在所述两个空缺区域内形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，还包括：

在所述空缺区域内形成所述源极和所述漏极之前，在所述空缺区域中形成热导率高于埋氧层热导率的介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，将所述衬底层的预设区域刻蚀，具体为：

将所述衬底层的所述预设区域刻蚀，露出所述衬底层的背衬硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在所述空缺区域内形成源极和漏极，包括：

在所述空缺区域内沉积多晶硅材料、硅锗材料和锗材料中的一种或多种；

对所述空缺区域内的沉积材料进行离子掺杂，形成所述源极和所述漏极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制备方法，其特征在于，对所述空缺区域内的沉积材料进行离子掺杂，形成所述源极和所述漏极，包括：

在所述栅极及所述绝缘层的两侧侧壁形成第一侧墙；所述第一侧墙的材料为氮化硅、氧化硅或低介电常数材料；

对所述沉积材料进行轻掺杂；

在所述第一侧壁外侧形成第二侧墙；所述第二侧墙的材料为氮化硅、氧化硅或低介电常数材料；

对所述沉积材料进行重掺杂，形成所述源极和所述漏极。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底层，所述衬底层上形成有两个空缺区域；

绝缘层，所述绝缘层位于所述衬底层表面；

栅极，所述栅极位于所述绝缘层表面；

源极和漏极，所述源极和漏极位于所述两个空缺区域内，所述空缺区域位于所述栅极在所述衬底层表面投影的外侧区域，且所述空缺区域的深度大于所述衬底层的顶层硅厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：介质层；所述介质层位于所述空缺区域内，且所述介质层的第一表面与所述源极和漏极接触，所述介质层的第二表面与所述衬底层的背衬硅接触；所述介质层的热导率高于所述埋氧层的热导率。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述源极和漏极为掺杂离子的多晶硅材料、硅锗材料和锗材料中的一种或多种。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极及所述绝缘层的侧壁形成有侧墙，所述侧墙为氮化硅或氧化硅或低介电常数材料。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求6～9任一项所述的半导体器件。