[发明专利]铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板

说明书

本发明提供了一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％‑20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。在该铜钼蚀刻剂中，除必须的蚀刻成分过氧化氢以及水以外，其他所添加的蚀刻辅助剂的含量少，大大降低了生产制造的成本，同时该铜钼蚀刻剂仍具备良好的蚀刻性能，可有效避免钼残不良的发生，且具有较长的使用寿命。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板。

背景技术

在高世代的液晶显示器的生产工艺中，为了降低阻抗，提高电性，通常会用铜/钼膜层布线代替铝膜层布线。铜金属活泼性(还原性)远低于铝，因此对铜的蚀刻比铝困难得多。相对于铝蚀刻剂为氧化剂与酸(硝酸+乙酸+磷酸)的简单组合相比，铜钼蚀刻剂组成要为复杂，铜钼蚀刻剂的各组分处于合适的比例，材料及蚀刻特性才能满足规格。正因组成复杂，铜钼蚀刻剂在开发过程中始终会遇上各种问题，如钼残留，低切，掏空等形貌缺陷及寿命低等问题。

目前，为了增加开态电流和降低关态电流，薄膜晶体管的源漏金属层中的源极和漏电极间的沟道在允许范围内越窄越好，即铜/钼膜层线宽要尽量长。在此条件下，铜蚀刻剂对铜/钼膜层的蚀刻时间就要减小，所以容易造成钼的残留。钼残的存在，容易造成电极间短路或异常放电等问题，因此对铜钼蚀刻剂的蚀刻性能提出了更高的要求，此处，所述的钼残不良现象请参阅图1，相较图2所示的蚀刻后无钼残现象的表面形貌，可观察到在无铜钼膜层的区域，表面存在整面的麻点状异物，即为底层的钼膜层未被蚀刻完全而导致的残留。此外，在湿蚀刻工艺过程中需要消耗大量的蚀刻剂，蚀刻剂达到寿命终点蚀刻特性发生较大变化即要转为废液，所以无论是从成本效益或是环保方面考虑，提高铜钼蚀刻剂的寿命都尤为重要，而目前业界为了提高铜蚀刻剂寿命，通常会添加大量功能性添加剂，这无疑会增加蚀刻剂原料成本。据调研发现，目前市场上能兼顾优良钼残状况，低添加剂含量及高寿命的铜蚀刻剂少之又少，因此开发改善钼残，低添加剂及高寿命的铜蚀刻剂意义重大。

发明内容

本发明提供一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板，所述铜钼蚀刻剂组合物中蚀刻辅助剂的含量低，且可解决蚀刻过程中易出现钼残的问题，具有较高的寿命。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种铜钼蚀刻剂组合物，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％-20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。

在本发明实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢的质量百分含量为10wt％-20wt％，所述过氧化氢稳定剂的质量百分含量为0.1wt％-2wt％，所述蚀刻抑制剂的质量百分含量为0.1wt％-1wt％，所述蚀刻添加剂的质量百分含量为2wt％-10wt％，所述pH调节剂的质量百分含量为0.1wt％-5wt％。

在本发明实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢稳定剂选自脲类化合物、磷酸盐或醇类化合物中的至少一种。

在本发明实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述蚀刻抑制剂选自唑类化合物、噻吩类化合物、吲哚类化合物、嘌呤类化合物、嘧啶类化合物、吡咯类化合物中的至少一种。

在本发明实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述蚀刻添加剂选自胺类化合物、有机酸以及无机酸中的至少两种。

在本发明实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述pH调节剂选自无机酸或无机碱中的至少一种。

在本发明实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述铜钼蚀刻剂组合物的pH值为2-4。

第二方面，本发明还提供了一种，铜钼膜层的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下步骤：