[发明专利]铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板

权利要求书

1.一种铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％-20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。

2.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，在所述铜钼蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢的质量百分含量为10wt％-20wt％，所述过氧化氢稳定剂的质量百分含量为0.1wt％-2wt％，所述蚀刻抑制剂的质量百分含量为0.1wt％-1wt％，所述蚀刻添加剂的质量百分含量为2wt％-10wt％，所述pH调节剂的质量百分含量为0.1wt％-5wt％。

3.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述过氧化氢稳定剂选自脲类化合物、磷酸盐或醇类化合物中的至少一种。

4.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻抑制剂选自唑类化合物、噻吩类化合物、吲哚类化合物、嘌呤类化合物、嘧啶类化合物、吡咯类化合物中的至少一种。

5.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻添加剂选自胺类化合物、有机酸以及无机酸中的至少两种。

6.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述pH调节剂选自无机酸或无机碱中的至少一种。

7.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述铜钼蚀刻剂组合物的pH值为2-4。

8.一种铜钼膜层的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方法包括如下步骤：

提供一基板，在所述基板上形成铜钼膜层；

在所述铜钼膜层上形成光阻层；

在所述光阻层的遮蔽下，使用权利要求1-7任意一项所述的铜钼蚀刻剂组合物对所述铜钼膜层进行蚀刻；以及

剥离去除所述光阻层。

9.如权利要求8所述的铜钼膜层的蚀刻方法，其特征在于，所述铜钼蚀刻剂组合物的温度为30-35℃。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括一金属层，所述金属层为铜钼膜层构成，并由权利要求8或9任意一项所述的铜钼膜层的蚀刻方法蚀刻形成。