[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)，包括：

源极区和漏极区，位于半导体层中；

沟道区，横向位于所述源极区与所述漏极区之间；

传感阱，位于所述半导体层的背面上和所述沟道区的上方，其中，所述传感阱的底面由所述半导体层限定；

互连结构，位于所述半导体层的与所述半导体层的所述背面相对的正面上；

生物传感膜，内衬于所述传感阱并接触所述传感阱的所述底面；以及

选择性结合剂的涂层，位于所述生物传感膜上方并配置为与心肌细胞结合。

2.根据权利要求1所述的IC，其中，所述选择性结合剂的涂层包括胶原蛋白、层粘连蛋白、纤连蛋白和粘多糖、硫酸肝素、透明质酸、硫酸软骨素。

3.根据权利要求1所述的IC，其中，所述选择性结合剂的涂层是多孔的。

4.根据权利要求1所述的IC，还包括：

至少一个第一加热器，位于所述互连结构内。

5.根据权利要求4所述的IC，其中，所述第一加热器由材料形成，所述材料与所述互连结构的金属线和金属通孔的材料不同。

6.根据权利要求4所述的IC，其中，所述第一加热器不含铜。

7.根据权利要求4所述的IC，其中，从俯视图来看，多个所述第一加热器形成平行的细长图案。

8.根据权利要求7所述的IC，还包括：

多个第二加热器，在所述半导体层内延伸，其中，从俯视图看，所述第二加热器形成细长图案，所述细长图案与由所述第一加热器形成的所述细长图案交叉。

9.一种集成电路(IC)，包括：

半导体衬底，具有源极区和漏极区；

传感阱，位于所述半导体衬底的背面；

生物传感膜，内衬于所述传感阱并接触所述半导体衬底的所述背面；

生物材料涂层，位于所述生物传感膜的上方；以及

第一加热器，位于所述半导体衬底中并与所述源极区和所述漏极区横向隔开，所述第一加热器与所述生物材料涂层竖直重叠。

10.一种形成集成电路的方法，包括：

形成绝缘体上半导体(SOI)衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括半导体衬底、牺牲衬底以及所述半导体层与所述牺牲衬底之间的介电层；

在所述半导体衬底中形成源极/漏极区；

在所述半导体衬底的第一侧上形成后道工序(BEOL)互连结构；

通过所述BEOL互连结构将载体衬底接合到所述半导体衬底；

在将所述载体衬底接合到所述半导体衬底之后；薄化所述SOI衬底以移除所述牺牲衬底并暴露所述介电层；

蚀刻所述介电层，直到暴露所述半导体衬底的第二侧，从而使传感阱延伸穿过所述介电层并在源极/漏极区之间横向延伸；

形成内衬于所述传感阱的生物传感膜；以及

将所述生物传感膜浸入生物材料浴中，直到所述生物材料层涂覆有所述生物传感膜。