[发明专利]一种微型半导体加热雾化器加热雾化结构及其制作方法

权利要求书

1.一种微型半导体加热雾化器加热雾化结构加热雾化结构，其特征在于：包括基底(1)、半导体电热膜(2)、电极I(3)、电极II(4)；所述半导体电热膜(2)镀膜在基底(1)上表面；所述电极I(3)、电极II(4)印刷在半导体电热膜(4)上。

2.根据权利要求1所述的一种微型半导体加热雾化器加热雾化结构加热雾化结构，其特征在于：所述基底(1)材质为陶瓷，内部为空心；所述电极I(3)、电极II(4)材质均为银。

3.一种微型半导体加热雾化器加热雾化结构制作方法，其特征在于：半导体电热膜(2)制备包括以下重量份的原料，氧化锡0.5-0.7份、五水四氯化锡2-10份、乙醇15-25份、二水三氯化锑5-10份、丙三醇0.3-1份、盐酸5-10份、冰醋酸5-10份、氯化亚锡3-6份、氯化铝0.6-1份、氧化铋0.8-1.5份、蒸馏水15-30份；

微型半导体加热雾化器制作方法包括以下步骤：

步骤一，取五水四氯化锡2-10份、氯化亚锡3-6份充分混合，然后加入冰醋酸5-10份中，在8-12℃条件下搅拌，至固体颗粒全部溶解；再加入丙三醇0.3-1份继续搅拌5-10min，得到组分一；取盐酸5-10份，加入二水三氯化锑5-10份和氯化铝0.6-1份，在15-20℃条件下搅拌均匀，得到组分二；取乙醇15-25份，加入氧化锡0.5-0.7份、氧化铋0.8-1.5份混合，得到组分三。

步骤二，将步骤一得到的组分一与组分二全部加入组分三中，然后缓慢加入蒸馏水15-30份，充分反应后滤出固体颗粒，即得到配比好的半导体电热膜处理液；储存时放置在15-25℃的房间内，使用时在室温下充分搅拌后即可。

步骤三，将加工完成的基底(1)加热至380-860℃，不同基体所需加热温度不同。将步骤二中得到的半导体电热膜处理液与3-7公斤空气充分混合，然后通入喷枪中，喷涂在加热完成之后的基底(1)的上表面上，然后冷却至室温，得到半导体电热膜(2)；然后导银电浆用丝印网板印刷在半导体电热膜(2)上，得到电极I(3)、电极II(4)，风干后整体加热至180-300℃烘干10-30分钟，然后升温加热至500-800℃烧结15-30分钟，然后冷却，得到微型半导体雾化器加热雾化结构。

4.根据权利要求3所述的一种微型半导体加热雾化器加热雾化结构制作方法，其特征在于：步骤三种所述喷枪为二流体喷枪。

5.根据权利要求3所述的一种微型半导体加热雾化器加热雾化结构制作方法，其特征在于：步骤三中所述丝印网版为250-100聚酯丝网或不锈钢丝网。