[发明专利]一种含铌烧结钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种如式(I)所示的含铌烧结钕铁硼磁体；

R_xT_{100-x-y1-y2-z}M_y1A_y2B_z (I)；

其中，x、y1、y2和z为对应元素的质量百分数，28.7％≤x≤32.8％，0％≤y1≤1.0％，0.77％≤y2≤2.60％，0.86％≤z≤1.01％；

R选自Pr、Nd、Dy和Tb中的一种或多种，

M选自Ti、Zr、Hf和Mn中的一种或多种，且Zr的含量为0～0.19％，Ti的含量为0～0.12％，Hf的含量为0～1.0％，Mn的含量为0～1.0％；

A为Cu、Ga、Al和Nb，且Cu的含量为0.2～0.55％，Ga的含量为0.25～0.55％，Al的含量为0.02～0.7％，Nb的含量为0.3～0.8％；

T选自Fe和Co，Co的含量为0.4～2.3％，余量为Fe。

2.根据权利要求1所述的含铌烧结钕铁硼磁体，其特征在于，Pr的含量为0～14.5％，Nd的含量为14.5～32％，Tb的含量为0～4.3％，Dy的含量为0～4.3％。

3.根据权利要求2所述的含铌烧结钕铁硼磁体，其特征在于，Pr的含量为5～10％，Nd的含量为20～26％，Dy的含量为1.5～3％。

4.根据权利要求1所述的含铌烧结钕铁硼磁体，其特征在于，Cu的含量为0.25～0.50％，Ga的含量为0.30～0.45％，Al的含量为0.1～0.45％，Nb的含量为0.4～0.55％。

5.根据权利要求1所述的含铌烧结钕铁硼磁体，其特征在于，Co的含量为0.5～1.5％，B的含量为0.90～0.96％。

6.根据权利要求1所述的含铌烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述M选自Zr和Ti中的一种或两种，Zr的含量为0～0.15％，Ti的含量为0～0.10％。

7.根据权利要求1所述的含铌烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述烧结钕铁硼磁体包括：

Pr6.1％，Nd23.9％，B0.94％，Cu0.2％，Co0.5％，Ga0.25％，Al0.1％，Ti0.1％，Nb0.4％，余量的Fe；

或，Pr6.3％，Nd24.8％，B0.93％，Cu0.35％，Co1％，Ga0.35％，Al0.2％，Nb0.4％，余量的Fe；

或，Pr6.2％，Nd24.2％，B0.95％，Cu0.25％，Co0.5％，Ga0.3％，Al0.2％，Nb0.3％，余量的Fe；

或，Pr6％，Nd24％，Dy1.5％，B0.94％，Cu0.35％，Co1％，Ga0.3％，Al0.5％，Zr0.15％，Ti0.1％，Nb0.45％，余量的Fe；

或，Pr5.9％，Nd23％，Dy3％，B0.96％，Cu0.25％，Co1.5％，Ga0.35％，Al0.5％，Nb0.55％，余量的Fe。

8.权利要求1～7任一项所述的含铌烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：

A)将钕铁硼烧结磁体的原料进行速凝薄片处理，得到钕铁硼速凝薄片；

B)将所述钕铁硼速凝薄片依次进行氢破碎和气流磨，得到钕铁硼粉末；

C)将所述钕铁硼粉末依次进行取向成型和烧结，得到含铌烧结钕铁硼磁体。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述速凝薄片处理的温度为1450～1500℃，所述钕铁硼速凝薄片的厚度为0.10～0.60mm；

所述氢破碎过程中，吸氢时间为1～3h，吸氢温度为20～300℃，脱氢时间为3～7h，脱氢温度为550～600℃；

所述气流磨过程中，加入润滑剂进行磨粉，所述润滑剂为氢破碎得到的混合细粉质量的0.02～0.1％，所述气流磨后的粉末的粒度为2～10μm。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述取向成型包括依次进行的取向压制和等静压成型；

所述取向成型的磁场强度为1.2～3T；

所述烧结的温度为1000～1200℃，时间为5～15h，真空度为小于等于0.02Pa；

所述烧结后还包括时效处理，所述时效处理包括第一次时效处理和第二次时效处理；

所述第一次时效处理的温度为800～950℃，所述第一次时效处理的时间为2～15小时；

所述第二次时效处理的温度为420～580℃，所述第二次时效处理的时间为1～8小时。