[发明专利]一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110481507.3 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113121226B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 许积文;张杰;饶光辉;杨玲;余文杰;王华 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622;H01G7/06 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘丹丹 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光介电铁电 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明属于陶瓷材料技术领域,特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料,所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ,x为0.005~0.10,y为0.01~0.5;A为AII族元素中的一种或多种,M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙,实现半导化,从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率,使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变,实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。
技术领域
本发明属于陶瓷材料技术领域,特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。
背景技术
介电性是指在外电场作用下,不导电的物体,即电介质,在紧靠带电体的一端会出现异号的过剩电荷,另一端则出现同号的过剩电荷,这种在电场作用下,表现出对静电能的储蓄和损耗的性质,通常用介电常数和介质损耗来表示。光照会引起一些电介质介电性的改变,例如硫化物、氧化物的半导体材料以及填充式鳞石英型结构的Mott绝缘体BaCoSiO4在光照下介电常数会发生变化,通常称此类材料为光介电材料。
在一些电介质晶体中,晶胞的结构使正负电荷中心不重合而出现电偶极矩,产生不等于零的电极化强度,使晶体具有自发极化,且电偶极矩方向可以因外电场而改变,呈现出类似于铁磁体的特点,晶体的这种性质叫铁电性。铁电材料是指具有铁电效应的一类材料。
一些铁电材料具有光介电性能,例如2018年Nature Photonics报道了BaTiO3单晶在光激发后的介电常数大幅度降低;同年,报道在0.88BNT-0.12BT材料中引入Ba(Ti0.5Ni0.5)O3–δ组分,掺杂及外场作用产生载流子从而实现半导化,形成了铁电半导体。目前,具有光介电性能的铁电材料铌酸钾钠(KNN)和钛酸铋钠(BNT)陶瓷在铁电、压电、热释电、储能、介电等物理性能上引起了广泛的关注和研究,但是,铌酸钾钠(KNN)和钛酸铋钠(BNT)陶瓷在光激励时的介电可调性偏低。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法,本发明提供的陶瓷材料在具有铁电性能的同时,可以实现光对介电性能的非接触式调控,并且具有较高的调控能力。
为了实现上述发明的目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料,所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xA(MyNb1-y)O3-δ,x为0.005~0.10,y为0.01~0.5;
A为AII族元素中的一种或多种,M为过渡金属元素中的一种或多种。
优选的,所述A包括Ca、Ba和Sr中的一种或多种。
优选的,所述M包括Mn、Ni、Co、Mo、Fe和Cr中的一种或多种。
优选的,所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为:
0.97(K0.5Na0.5)NbO3-0.03Ca(Ni0.5Nb0.5)O3-δ、
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