[发明专利]半导体可调谐激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体可调谐激光器，包括：

位于同一衬底上、且依次相邻设置的第一光栅区、公共增益区、相位调节区、第二光栅区；其中，

所述第一光栅区与所述第二光栅区具有不同的光栅周期；

所述相位调节区的长度大于所述公共增益区的长度的二分之一，所述相位调节区的长度为300μm，所述公共增益区的长度为500μm；

所述第一光栅区、所述公共增益区、所述相位调节区、所述第二光栅区分别包括自所述衬底上依次形成的N型外延层、有源层、P型外延层和脊条。

2.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述第一光栅区与所述公共增益区之间、所述公共增益区与所述相位调节区之间、所述相位调节区与所述第二光栅区之间分别设置有电隔离槽。

3.根据权利要求2所述的激光器，其中，所述电隔离槽包括刻蚀狭槽。

4.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述有源层包括多量子阱结构。

5.根据权利要求4所述的激光器，其中，所述多量子阱结构的主体材料包括AlGaInAs四元化合物。

6.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述脊条包括浅脊波导结构。

7.根据权利要求6所述的激光器，其中，所述脊条的侧截面包括矩形。

8.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述P型外延层上表面设置有P面电极。

9.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述衬底下表面设置有N面电极。

10.一种权利要求1～9任意一项所述激光器的制备方法，包括：

在衬底上依次生长N型外延层、有源层、P型外延层，得到外延片；

在所述P型外延层上表面生长二氧化硅保护层；

通过图形转移在生长有二氧化硅保护层的所述外延片上形成相邻设置的第一光栅区、公共增益区、相位调节区和第二光栅区，并在所述第一光栅区、公共增益区、相位调节区和第二光栅区的P型外延层上分别形成脊条；

去除残余的二氧化硅，并重新在所述P型外延层上表面生长二氧化硅，作为绝缘层；

在所述脊条上开设注电窗口，并在所述P型外延层上生长P面电极；

采用光刻法并腐蚀所述P面电极以图形化电极，使所述第一光栅区、所述公共增益区、所述相位调节区、所述第二光栅区彼此电隔离；

在所述衬底下表面生长N面电极；

划片解理后制得所述激光器；

所述相位调节区的长度为300μm，所述公共增益区的长度为500μm。