[发明专利]微显示器件及其制备方法在审
申请号: | 202110477632.7 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113284918A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 冉峰 | 申请(专利权)人: | 苏州唐古光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;G09G3/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 215128 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种微显示器件,其特征在于,包括实现彩色化显示的多个显示单元,所述微显示器件包括:
衬底;
驱动阵列层,位于所述衬底上,所述驱动阵列层包括与所述多个显示单元一一对应的多个像素驱动电路和至少一个共电极电路,以及暴露在所述驱动阵列层表面的多个第一电极,所述第一电极与所述像素驱动电路电连接;
多个微发光二极管,位于所述驱动阵列层背离所述衬底的一侧,且分布于所述多个显示单元,所述微发光二极管包括第一连接端和第二连接端,所述第一连接端与所述第一电极电连接,所述第二连接端与所述共电极电路电连接;
其中,每个所述显示单元由对应的所述像素驱动电路单独驱动以产生单色图像。
2.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述驱动阵列层还包括暴露在所述驱动阵列层表面的至少一个共电极,所述共电极与所述共电极电路电连接。
3.根据权利要求2所述的微显示器件,其特征在于,所述微显示器件还包括公共电极层,所述公共电极层的至少部分包覆所述微发光二极管的所述第二连接端,所述公共电极层与所述共电极电连接。
4.根据权利要求3所述的微显示器件,其特征在于,所述共电极电路的数量为一个,所述共电极电路位于所述多个像素驱动电路的一侧;
所述公共电极层在所述衬底上的正投影覆盖所述多个像素驱动电路和所述共电极电路在所述衬底上的正投影。
5.根据权利要求3所述的微显示器件,其特征在于,所述共电极电路的数量为多个,每个所述共电极电路位于每个所述像素驱动电路的一侧;
所述公共电极层包括与所述多个显示单元一一对应的多个第二电极,每个所述第二电极在所述衬底上的正投影覆盖对应的所述像素驱动电路和所述共电极电路在所述衬底上的正投影。
6.根据权利要求1至5任一项所述的微显示器件,其特征在于,所述多个显示单元包括红色显示单元、绿色显示单元和蓝色显示单元,所述多个微发光二极管包括位于所述红色显示单元的红色微发光二极管、位于所述绿色显示单元的绿色微发光二极管和位于所述蓝色显示单元的蓝色微发光二极管。
7.根据权利要求4或5所述的微显示器件,其特征在于,所述多个显示单元包括红色显示单元、绿色显示单元和蓝色显示单元,所述微发光二极管为蓝色微发光二极管,多个所述蓝色微发光二极管分别位于所述红色显示单元、所述绿色显示单元和所述蓝色显示单元;
所述微显示器件还包括颜色转换层,所述颜色转换层位于所述公共电极层背离所述衬底的一侧,所述颜色转换层包括红色转换层和绿色转换层,所述红色转换层位于所述红色显示单元,以将所述蓝色微发光二极管发射的蓝光转换为红光,所述绿色转换层位于所述绿色显示单元,以将所述蓝色微发光二极管发射的蓝光转换为绿光。
8.根据权利要求3所述的微显示器件,其特征在于,相邻的两个所述微发光二极管之间设置有金属导线,所述金属导线与所述公共电极层电连接。
9.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述多个显示单元包括红色显示单元、绿色显示单元和蓝色显示单元,所述微发光二极管为蓝色微发光二极管,多个所述蓝色微发光二极管分别位于所述红色显示单元、所述绿色显示单元和所述蓝色显示单元;
所述微显示器件还包括颜色转换层,所述颜色转换层位于所述蓝色微发光二极管背离所述衬底的一侧,所述颜色转换层包括红色转换层和绿色转换层,所述红色转换层位于所述红色显示单元,以将所述蓝色微发光二极管发射的蓝光转换为红光,所述绿色转换层位于所述绿色显示单元,以将所述蓝色微发光二极管发射的蓝光转换为绿光。
10.根据权利要求9所述的微显示器件,其特征在于,所述共电极电路为多个,每个所述共电极电路位于每个所述像素驱动电路的一侧;
所述微显示器件还包括多个基板,所述微发光二极管的所述第二连接端通过所述基板与对应的所述共电极电路电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的