[发明专利]微显示器件及其制备方法、投影显示系统、增强现实眼镜在审
申请号: | 202110477626.1 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113140587A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 冉峰 | 申请(专利权)人: | 苏州唐古光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;G02B27/01 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 215128 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制备 方法 投影 系统 增强 现实 眼镜 | ||
1.一种微显示器件,所述微显示器件包括多个显示单元,多个显示单元包括产生第一单色图像的第一显示单元、产生第二单色图像的第二显示单元和产生第三单色图像的第三显示单元;所述微显示器件还包括单晶硅衬底,所述显示单元集成在所述单晶硅衬底上;并且,所述多个显示单元的每一帧图像同步显示。
2.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述第一显示单元和/或所述第二显示单元和/或所述第三显示单元的延伸方向与所述多个显示单元的的排列方向一致。
3.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,相邻显示单元之间的间距为10μm~1000μm。
4.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述第一显示单元发出红光,所述第二显示单元发出绿光,所述第三显示单元发出蓝光。
5.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述多个显示单元包括Micro OLED和/或Micro LED。
6.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述微显示器件包括多个微透镜,设置于所述多个显示单元的上方。
7.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述微显示器件包括第一电极和第二电极,所述第一电极为所述多个显示单元共用。
8.根据权利要求1所述的微显示器件,其特征在于,所述微显示器件包括第一电极和第二电极,所述第一电极包括若干子电极,所述若干子电极之间彼此独立。
9.根据权利要求7或8所述的微显示器件,其特征在于,所述第一电极分布在所述多个显示单元的四周。
10.一种投影显示系统,其特征在于,所述投影显示系统包括:
权利要求1-9任一项所述微显示器件;
光学转换模块,设置于所述微显示器件的出光方向上,所述光学转换模块用于将所述微显示器件发出的光成像于目标位置。
11.根据权利要求10所述的投影显示系统,其特征在于,所述光学转换模块剖面为直角三角形,第一直角边长度为L1,第二直角边长度为L2,其中,10°≤arctan(L1/L2)≤80°。
12.根据权利要求10所述的投影显示系统,其特征在于,还包括:投影显示模块,所述目标位置设置于所述投影显示模块,以使所述多个显示单元分别产生的单色图像合成彩色图像后,在所述投影显示模块上呈现。
13.根据权利要求10所述的投影显示系统,其特征在于,还包括:
光学部件,设置于所述微显示器件和所述光学转换模块之间,所述光学部件具有朝向所述微显示器件的入射面和朝向所述光学转换模块的出射面;
其中,所述微显示器件发出的光在所述入射面上形成第一光学成像,所述第一光学成像经过所述光学部件后在所述出射面上形成第二光学成像,所述光学部件用于改变光的传播方向,以使所述第二光学成像满足所述光学转换模块的入射要求。
14.根据权利要求13所述的投影显示系统,其特征在于,
所述第一光学成像呈矩形,且所述第一光学成像的长宽比不相同,所述第二光学成像呈正方形;
或者,所述第一光学成像和所述第二光学成像均呈圆形或正方形,所述第二光学成像的尺寸为所述第一光学成像尺寸的N倍,N大于1。
15.一种增强现实眼镜,其特征在于,包括镜腿、镜框和光学模块和微显示器组成的模组,以及如权利要求10-14所述的投影显示系统,其中,所述微显示器件和所述模组设置于所述镜腿之中。
16.一种微显示器件的制备方法,其特征在于,包括:
提供一单晶硅衬底,单晶硅衬底上形成第一电极;
在所述单晶硅衬底的一侧设置第一掩膜板,所述第一掩膜板上具有第一开口,部分所述单晶硅衬底由所述第一开口露出;
令第一发光材料通过所述第一开口形成于所述单晶硅衬底上;
在所述单晶硅衬底的一侧设置第二掩膜板,所述第二掩膜板上具有第二开口,部分所述单晶硅衬底由所述第二开口露出,且所述第二开口在所述单晶硅衬底上形成的正投影与所述第一开口在所述单晶硅衬底上形成的正投影错位设置;
令第二发光材料通过所述第二开口形成于所述单晶硅衬底上;
在所述单晶硅衬底的一侧设置第三掩膜板,所述第三掩膜板上具有第三开口,部分所述单晶硅衬底由所述第三开口露出,且所述第三开口在所述单晶硅衬底上形成的正投影与所述第一开口、所述第二开口在所述单晶硅衬底上形成的正投影错位设置;
令第三发光材料通过所述第三开口形成于所述单晶硅衬底上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的