[发明专利]进气装置及反应腔室

说明书

本发明公开一种进气装置及反应腔室，反应腔室包括腔室本体和喷淋头，喷淋头设置于腔室本体的顶部，进气装置用于和喷淋头连通，进气装置包括第一管道和进气组件；第一管道用于与喷淋头相连通，第一管道的侧壁开设有第一通孔，第一管道的进气端用于通入第一反应气体或清洗气体；进气组件包括组件本体，组件本体套设于第一管道的外侧，组件本体内具有环绕第一管道的至少两个通道，组件本体的外侧设有第二通孔，第二通孔与其相邻近的通道相连通，组件本体内设有第三通孔，第三通孔用于连通相邻的两个通道，组件本体内侧设有第四通孔，第四通孔通过第一通孔与第一管道相连通。上述方案能够解决反应腔室的清洗效果较差的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种进气装置及反应腔室。

背景技术

原子层沉积可以将物质以单原子膜形式一层一层镀在晶圆表面。在镀膜过程中，两种或者更多的化学气相反应气体依次在晶圆表面发生化学反应从而产生固态的薄膜。

相关技术中，反应腔室包括管道和腔室本体，管道与腔室本体相连通。反应气体通过载气携带可以通过管道通入腔室本体内，进而使得反应气体在腔室本体内发生反应，从而在晶圆的表面产生薄膜。

为了提高晶圆表面薄膜的均匀性，管道的出气端设置有直通进气栅，反应气体和载气经过直流通气栅时能够对反应气体和载气进行混流，从而使得反应气体和载气混合更加均匀，以使腔室本体内的压强维持在较高的范围，进而使得反应腔室的工艺性更好。

然而，直通进气栅虽然能够对反应气体和载气进行混流，但是其对气体的阻流较大，因此当反应腔室需要进行清洗时，通入的清洗气体被直通进气栅阻流，进而使得反应腔室的清洗效果较差。

发明内容

本发明公开一种进气装置及反应腔室，以解决反应腔室的清洗效果较差的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种进气装置，所述进气装置用于与反应腔室连通，所述反应腔室包括腔室本体和喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室本体的顶部，所述进气装置用于和所述喷淋头连通，所述进气装置包括：

第一管道，所述第一管道用于与所述喷淋头相连通，所述第一管道的侧壁开设有第一通孔，所述第一管道的进气端用于通入第一反应气体或清洗气；

进气组件，所述进气组件包括组件本体，所述组件本体套设于所述第一管道的外侧，所述组件本体内具有环绕所述第一管道的至少两个通道，所述至少两个通道沿所述组件本体的径向间隔分布，所述组件本体的外侧设有第二通孔，所述第二通孔与其相邻近的所述通道相连通，所述组件本体内设有第三通孔，所述第三通孔用于连通相邻的两个所述通道，所述组件本体内侧设有第四通孔，所述第四通孔与其相邻近的所述通道相连通，所述第四通孔通过所述第一通孔与所述第一管道相连通，所述进气组件用于通过所述第二通孔向所述第一管道通入第一反应气体。

一种反应腔室，包括：反应腔体和喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室本体上，反应腔室还包括上述的进气装置，所述进气装置与所述喷淋头连通。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的进气装置中，进气组件包括组件本体，组件本体套设于第一管道的外侧，组件本体具有环绕第一管道的至少两个通道，至少两个通道沿组件本体的径向间隔分布。第二反应气体和载气能够在至少两个通道进行混合，第二反应气体和载气混合充分，从而使得腔室本体内的压强维持在较高的范围。此方案中，第二反应气体和载气的混合在第一管道之外进行，从而使得第一管道内无需设置混合部件。当反应腔室需要进行清洗时，由于第一管道内无混合部件，因此第一管道内的阻流较小，进而使得清洗气体不容易被阻碍在第一管道内，进而提高反应腔室的清洗效果。

附图说明