[发明专利]进气装置及反应腔室在审
申请号: | 202110477358.3 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113201725A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 秦海丰;史小平;兰云峰;王勇飞;张文强;王昊;任晓艳 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/509 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 反应 | ||
1.一种进气装置,所述进气装置用于与反应腔室连通,所述反应腔室包括腔室本体(100)和喷淋头(500),所述喷淋头(500)设置于所述腔室本体(100)的顶部,所述进气装置用于和所述喷淋头(500)连通,其特征在于,所述进气装置包括:
第一管道(200),所述第一管道(200)用于与所述喷淋头(500)相连通,所述第一管道(200)的侧壁开设有第一通孔(210),所述第一管道(200)的进气端用于通入第一反应气体或清洗气;
进气组件(300),所述进气组件(300)包括组件本体(310),所述组件本体(310)套设于所述第一管道(200)的外侧,所述组件本体(310)内具有环绕所述第一管道(200)的至少两个通道(301),所述至少两个通道(301)沿所述组件本体(310)的径向间隔分布,所述组件本体(310)的外侧设有第二通孔(3111),所述第二通孔(3111)与其相邻近的所述通道(301)相连通,所述组件本体(310)内设有第三通孔(3121),所述第三通孔(3121)用于连通相邻的两个所述通道(301),所述组件本体(310)内侧设有第四通孔(3112),所述第四通孔(3112)与其相邻近的所述通道(301)相连通,所述第四通孔(3112)通过所述第一通孔(210)与所述第一管道(200)相连通,所述进气组件(300)用于通过所述第二通孔(3111)向所述第一管道(200)通入第二反应气体和载气。
2.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述第三通孔(3121)的数量为多个,多个所述第三通孔(3121)沿所述第一管道(200)的轴线方向间隔设置。
3.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述第二通孔(3111)的入口侧和所述组件本体(310)的底端的距离与所述第二通孔(3111)的出口侧与所述组件本体(310)的底端的距离不同;或,
所述第二通孔(3111)的入口侧与所述组件本体(310)的底端的距离与所述第二通孔(3111)的出口侧与所述组件本体(310)的底端的距离相同。
4.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述组件本体(310)包括筒体外套(311)和至少一个筒体(312),所述筒体外套(311)的底端至顶端的方向上开设有凹槽,所述至少一个筒体(312)位于所述凹槽内,所述筒体(312)与所述凹槽的侧壁以及相邻的两个所述筒体(312)之间围成所述通道(301),所述第三通孔(3121)开设于所述筒体(312),所述第二通孔(3111)和所述第四通孔(3112)均开设于所述筒体外套(311)。
5.根据权利要求4所述的进气装置,其特征在于,所述凹槽为楔形槽,所述筒体(312)位于所述楔形槽内,且所述筒体(312)的一端与所述楔形槽的槽底相连接。
6.根据权利要求4所述的进气装置,其特征在于,所述进气组件(300)还包括底座(320),所述底座(320)开设有安装孔(321),所述底座(320)设置于所述组件本体(310)的底端与所述腔室本体(100)的顶端之间,所述第一管道(200)贯穿所述安装孔(321),并与所述喷淋头(500)相连通,所述底座(320)封堵所述凹槽的槽口。
7.根据权利要求5所述的进气装置,其特征在于,所述筒体(312)数量为一个,所述筒体(312)将所述凹槽分成两个对称的所述通道(301)。
8.根据权利要求5所述的进气装置,其特征在于,所述楔形槽的底面和内侧面均为敞口结构。
9.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述第一管道(200)的进气端设置有等离子体清洗装置(400),且与所述等离子体清洗装置(400)相连通,所述第一管道(200)的出气端与所述喷淋头(500)相连通;所述进气装置还包括第二管道(410),所述第二管道(410)与所述等离子体清洗装置400)相连通,所述第二管道(410)用于通入所述清洗气体或所述第一反应气体。
10.一种反应腔室,包括:腔室本体(100)和喷淋头(500),所述喷淋头(500)设置于所述腔室本体(100)上,其特征在于,还包括权利要求1至9中任一项所述的进气装置,所述进气装置与所述喷淋头(500)连通。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的