[发明专利]一种扇出型芯片的封装方法

说明书

本发明公开了一种扇出型芯片的封装方法，涉及半导技术体领域。该扇出型芯片的封装方法包括以下步骤：S1：在保护层上贴装芯片；S2：利用塑封料制作塑封层，所述塑封层与所述保护层将所述芯片包覆；S3：去除所述保护层，露出所述芯片与所述保护层贴合的面；S4：翻转塑封后的所述芯片使外露面朝上；S5：在所述芯片的外露面一次成型制作金属线路层，所述金属线路层包括多层金属线路；S6：在所述金属线路层灌筑液态绝缘材料制作绝缘介质层；S7：烘烤固化所述绝缘介质层。该扇出型芯片的封装方法能够将金属线路层及绝缘介质层仅通过一次烘烤固化成型，大幅提高产品合格率。

技术领域

本发明涉及半导技术体领域，尤其涉及一种扇出型芯片的封装方法。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，集成电路的金属线路层中每层金属线路层叠设置。

现有的扇出型封装是基于晶圆工艺基础上使用塑封料压缩成型或注塑的方式制作塑封晶圆，然后应用溅射金属薄膜或蚀刻的方式制作种子层，再通过电镀的方式制作电路层，并使用最高温度230℃左右的高温工艺固化PI(聚酰亚胺)钝化层来保护电路。这种制作工艺会导致塑封后的晶圆在制作电路层和钝化层时必须经过数次温差200℃以上的烘烤固化。烘烤次数根据需要制作的电路层层数决定。由于多次高温差烘烤，将可能引起诸如聚酰亚胺层与塑封料剥离、金属线路与塑封料剥离、塑封晶圆翘曲、芯片裂片等可靠性问题，给封装产品制作带来很大的工艺挑战。

针对上述问题，需要开发一种扇出型芯片的封装方法，以解决分层制作金属线路层及绝缘介质层时需要根据层数多次加热固化，导致合格率下降的问题。

发明内容

本发明的目的在于提出一种扇出型芯片的封装方法，能够将金属线路层及绝缘介质层仅通过一次烘烤固化成型，大幅提高产品合格率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种扇出型芯片的封装方法，包括：

S1：在保护层上贴装芯片；

S2：利用塑封料制作塑封层，所述塑封层与所述保护层将所述芯片包覆；

S3：去除所述保护层，露出所述芯片与所述保护层贴合的面；

S4：翻转塑封后的所述芯片使外露面朝上；

S5：在所述芯片的外露面一次成型制作金属线路层，所述金属线路层包括多层金属线路；

S6：在所述金属线路层灌筑液态绝缘材料制作绝缘介质层；

S7：烘烤固化所述绝缘介质层。

优选地，所述保护层为键合薄膜，步骤S3中的去除所述保护层是利用解键合的方式使所述键合薄膜与所述芯片分离。

优选地，相邻的所述金属线路之间通过金属立柱连接。

优选地，所述金属线路层及所述绝缘介质层均是通过3D打印的方式制作的。

优选地，所述保护层远离所述芯片的一侧设置有载板。

优选地，所述载板材料为玻璃、氧化铝、单晶硅、氮化铝、氧化铍、碳化硅、蓝宝石中的一种。

优选地，所述保护层上间隔贴装有多个所述芯片。

优选地，还包括：

S8：在所述芯片之间的间隔处切割成多个封装颗粒。

优选地，步骤S5中制作所述金属线路层后，通过金属引线电连接所述金属线路层及所述芯片。