[发明专利]一种扇出型芯片的封装方法有效
| 申请号： | 202110474659.0 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113192850B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 谢建友 | 申请（专利权）人： | 长沙新雷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市天心区芙蓉中路三段38*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扇出型 芯片 封装 方法 | ||
1.一种扇出型芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在保护层(1)上贴装芯片(2)；
S2：利用塑封料制作塑封层(3)，所述塑封层(3)与所述保护层(1)将所述芯片(2)包覆；
S3：去除所述保护层(1)，露出所述芯片(2)与所述保护层(1)贴合的面；
S4：翻转塑封后的所述芯片(2)使外露面朝上；
S5：在所述芯片(2)的外露面一次成型制作金属线路层(4)，所述金属线路层(4)包括多层金属线路；
S6：在所述金属线路层(4)灌筑液态绝缘材料制作绝缘介质层(5)；
S7：烘烤固化所述绝缘介质层(5)；
所述金属线路层(4)的多层金属线路通过一次成型的方法形成立体结构，
所述金属线路层(4)及所述绝缘介质层(5)均是通过3D打印的方式制作的。
2.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，所述保护层(1)为键合薄膜，步骤S3中的去除所述保护层(1)是利用解键合的方式使所述键合薄膜与所述芯片(2)分离。
3.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，相邻的所述金属线路之间通过金属立柱(41)连接。
4.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，所述保护层(1)远离所述芯片(2)的一侧设置有载板(6)。
5.根据权利要求4所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，所述载板(6)材料为玻璃、氧化铝、单晶硅、氮化铝、氧化铍、碳化硅、蓝宝石中的一种。
6.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，所述保护层(1)上间隔贴装有多个所述芯片(2)。
7.根据权利要求6所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，还包括：
S8：在所述芯片(2)之间的间隔处切割成多个封装颗粒(7)。
8.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，步骤S5中制作所述金属线路层(4)后，通过金属引线电连接所述金属线路层(4)及所述芯片(2)。
9.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于，所述金属线路层(4)的材料为Cu、Al、W、Sn、Au或Sn-Au合金中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙新雷半导体科技有限公司，未经长沙新雷半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110474659.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
