[发明专利]一种纳米银导电膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种纳米银导电膜及其制备方法，包括以下步骤：(1)涂布光刻胶：取基材，在其表面涂布光刻胶，形成光刻胶层，制得基材A；(2)涂布保护层：在基材A的光刻胶层上涂布保护层材料，形成保护层，制得基材B；(3)曝光：取基材B，照射紫外光进行曝光处理，制得基材C；(4)显影：取显影液将基材C显影处理，形成凹槽，制得基材D；(5)制备导电网格：在基材D的凹槽中填充银浆，形成导电网格，制得导电膜。本发明在涂布光刻胶后涂布保护层，保护层随光刻胶进行曝光、显影，形成凹槽，在填充银浆时，银浆残留在保护层上，而非光刻胶上，能够利用清洗液将保护层去除，避免手工擦拭，提高生产效率，提高产品性能和良率。

技术领域

本发明涉及导电膜技术领域，具体为一种纳米银导电膜及其制备方法。

背景技术

透明导电膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透光率的一种薄膜，广泛应用于液晶显示、触控面板和光伏器件等领域，具有广阔的市场空间。由于传统ITO薄膜不能用于可弯曲设备，同时又存在导电性差及透光率低等本质问题，众厂商纷纷寻求ITO的替代品，目前在研发的包括纳米银线、金属网格、碳纳米管以及石墨烯等材料。从市场反应上来看，石墨烯处于研发阶段，距离量产还有很远的距离。碳纳米管薄膜产品导电性还不能达到ITO薄膜的水平。金属网格工业化量产技术尚未完善。纳米银导电膜发展快速且较为成熟，市场占有率逐年提升。

目前市面上的一些纳米银导电膜制造过程是先经过卤化银曝光、激光刻蚀或纳米压印等工艺在光刻胶上形成网格凹槽，然后通过压印方式在凹槽图案中填充纳米导电银浆，最后再对纳米导电银浆进行烧结。但是压印银浆的过程中，银浆会残留在光刻胶表面，一般都是采取手工擦拭的方法去清除。然而这种方法会造成产品表观不良，破坏导电线路，降低产品良率。因此，我们提出一种纳米银导电膜及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种纳米银导电膜及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种纳米银导电膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)涂布光刻胶：取基材，在其表面涂布光刻胶，形成光刻胶层，制得基材A；

(2)涂布保护层：在基材A的光刻胶层上涂布保护层材料，形成保护层，制得基材B；

(3)曝光：取基材B，照射紫外光进行曝光处理，制得基材C；

(4)显影：取显影液将基材C显影处理，形成凹槽，制得基材D；

(5)制备导电网格：在基材D的凹槽中填充银浆，烧结，形成导电网格，制得基材E；

(6)去除保护层：利用清洗液将步骤(5)中得到的基材E进行清洗，制得导电膜。

进一步的，包括以下步骤：

(1)涂布光刻胶：取基材，在其表面涂布负性光刻胶，形成光刻胶层，制得基材A；

(2)涂布保护层：在基材A的光刻胶层上涂布保护层材料，预烘烤，形成保护层，制得基材B；

(3)曝光：取基材B，照射紫外光进行曝光处理，制得基材C；

(4)显影：取显影液将基材C显影处理，形成凹槽，后烘烤，制得基材D；

(5)制备导电网格：在基材D的凹槽中填充银浆，烧结，形成导电网格，制得基材E；

(6)去除保护层：利用清洗液将步骤(5)中得到的基材E进行清洗，制得导电膜。

进一步的，所述保护层材料为聚甲基丙烯酸甲酯、有机硅树脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯酸酯、聚乙烯中的一种或多种。

进一步的，所述清洗液为丙酮、二氯乙烷、氯仿、冰醋酸、甲苯中的一种或多种。