[发明专利]半导体器件的制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成若干栅极沟槽；在所述栅极沟槽的内壁上形成第一氧化层；对所述第一氧化层执行退火工艺；在所述栅极沟槽内填充多晶硅层；对所述第一氧化层进行湿法刻蚀，以使所述第一氧化层的顶部低于所述基底的表面；本发明通过改善第一氧化层的顶部的均匀性，以提高器件的电性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

屏蔽栅沟槽型MOSFET管是一种典型的沟槽型MOSFET管，具有传统沟槽型MOSFET管低导通损耗的优点，因此屏蔽栅沟槽型MOSFET管应用广泛。在屏蔽栅沟槽型MOSFET管制造过程中，先在栅极沟槽中形成第一氧化层后，第一氧化层覆盖栅极沟槽的内壁，再在栅极沟槽中形成多晶硅层，多晶硅层填充于栅极沟槽中，在形成多晶硅层时，多晶硅层会覆盖基底的表面，在对多晶硅层进行刻蚀后，去除了基底的表面的多晶硅层且保留栅极沟槽内的多晶硅层；然后对第一氧化层进行刻蚀，以形成开口，后续工艺在开口中形成栅多晶硅层以制造栅极。但是在刻蚀第一氧化层之后，第一氧化层的顶部可能会出现较明显的不均匀，影响后续第二氧化层的形成，最终影响器件的电性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，通过改善第一氧化层的顶部的均匀性，减轻由于第一氧化层的顶部均匀性较差对后续工艺产生的影响，以提高器件的电性能。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：

提供基底，在所述基底内形成若干栅极沟槽；

在所述栅极沟槽的内壁上形成第一氧化层；

对所述第一氧化层执行退火工艺；

在所述栅极沟槽内填充多晶硅层；以及，

对所述第一氧化层进行湿法刻蚀，以使所述第一氧化层的顶部低于所述基底的表面。

可选的，所述退火工艺的温度为950℃～1150℃。

可选的，所述退火工艺的时间为1小时～4小时。

可选的，所述退火工艺的工艺气体为氢气和/或氮气。

可选的，采用湿氧氧化工艺在所述栅极沟槽的内壁上形成所述第一氧化层。

可选的，在所述栅极沟槽的内壁上形成所述第一氧化层时，所述第一氧化层还延伸覆盖所述基底的表面。

可选的，在所述栅极沟槽内填充所述多晶硅层时，所述多晶硅层还延伸覆盖所述第一氧化层的表面。

可选的，在对所述第一氧化层进行湿法刻蚀之前，还包括：

对所述多晶硅层进行刻蚀，以去除所述基底表面的多晶硅层及所述栅极沟槽中的部分厚度的多晶硅层，以使所述栅极沟槽中的多晶硅层的顶部低于所述基底的表面。

可选的，对所述第一氧化层进行湿法刻蚀之后，所述基底的表面与所述第一氧化层的顶部之间形成开口。

可选的，在对所述第一氧化层进行湿法刻蚀之后，还在所述开口的内壁形成第二氧化层。

在本发明提供的一种半导体器件的制备方法中，在所述基底内形成若干栅极沟槽，在所述栅极沟槽的内壁上形成第一氧化层，然后对所述第一氧化层执行退火工艺，以改变所述第一氧化层的致密性，增强器件的抗击穿能力；进而，在所述栅极沟槽内填充多晶硅层，对所述第一氧化层进行湿法刻蚀，以使所述第一氧化层的顶部低于所述基底的表面；由于所述第一氧化层经过退火工艺后，改变了所述第一氧化层的致密性且修复了所述第一氧化层的表面的缺陷，在进行湿法刻蚀时，能够降低湿法刻蚀速率，以使在湿法刻蚀后，改善所述第一氧化层的顶部的均匀性，减轻由于所述第一氧化层的顶部的均匀性较差对后续工艺产生的影响，以提高器件的电性能。

附图说明