[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110461229.5 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192839A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 梁肖;刘昌宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底内形成若干栅极沟槽；
在所述栅极沟槽的内壁上形成第一氧化层；
对所述第一氧化层执行退火工艺；
在所述栅极沟槽内填充多晶硅层；以及，
对所述第一氧化层进行湿法刻蚀，以使所述第一氧化层的顶部低于所述基底的表面。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为950℃～1150℃。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述退火工艺的时间为1小时～4小时。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺气体为氢气和/或氮气。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用湿氧氧化工艺在所述栅极沟槽的内壁上形成所述第一氧化层。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述栅极沟槽的内壁上形成所述第一氧化层时，所述第一氧化层还延伸覆盖所述基底的表面。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述栅极沟槽内填充所述多晶硅层时，所述多晶硅层还延伸覆盖所述第一氧化层的表面。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述第一氧化层进行湿法刻蚀之前，还包括：
对所述多晶硅层进行刻蚀，以去除所述基底表面的多晶硅层及所述栅极沟槽中的部分厚度的多晶硅层，以使所述栅极沟槽中的多晶硅层的顶部低于所述基底的表面。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述第一氧化层进行湿法刻蚀之后，所述基底的表面与所述第一氧化层的顶部之间形成开口。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述第一氧化层进行湿法刻蚀之后，还在所述开口的内壁形成第二氧化层。
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