[发明专利]一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法

权利要求书

1.一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

将碳-碳化硅复合粉装模进行冷压，之后依次进行热压烧结和降温，得到所述碳碳化硅陶瓷靶坯；

所述碳-碳化硅复合粉中颗粒的球形度为0.8-1，粒度为120-180μm；所述碳-碳化硅复合粉中碳和碳化硅的质量比为(1-2):(1-3)；

所述冷压包括依次进行的第一冷压和第二冷压；所述第一冷压的压力＜3MPa；所述第一冷压的时间为2-4s；所述第二冷压的压力为10-15MPa；所述第二冷压的保压时间为2-5min；

所述热压烧结包括依次进行的第一保温、第二保温和保温保压；所述第一保温为以10-12℃/min升温至1000-1100℃，之后以5-7℃/min升温至1800-1900℃，然后保温50-60min；所述第二保温为以3-5℃/min升温至2050-2150℃，然后保温20-30min；所述保温保压中的保温温度为所述第二保温的保温温度；所述保温保压中的加压速率为0.4-0.45MPa/min；所述保温保压中的压力为35-40MPa；所述保温保压的时间为180-200min。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述冷压为将装模后的复合粉进行模压。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热压烧结开始之前进行抽真空处理。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空的终点为真空度≤100Pa。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述降温为所述热压烧结结束后充 入保护气并进行随炉冷却。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述随炉冷却的终点温度＜200℃。

7.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

将碳-碳化硅复合粉装模进行冷压，之后依次进行热压烧结和降温，得到所述碳碳化硅陶瓷靶坯；

所述碳-碳化硅复合粉中颗粒的球形度为0.8-1，粒度为120-180μm；所述碳-碳化硅复合粉中碳和碳化硅的质量比为(1-2):(1-3)；

所述冷压为将装模后的复合粉进行模压；所述冷压包括依次进行的第一冷压和第二冷压；

所述第一冷压的压力＜3MPa；所述第一冷压的时间为2-4s；所述第二冷压的压力为10-15MPa；所述第二冷压的保压时间为2-5min；

所述热压烧结开始之前进行抽真空处理；所述抽真空的终点为真空度≤100Pa；

所述热压烧结包括依次进行的第一保温、第二保温和保温保压；

所述第一保温为以10-12℃/min升温至1000-1100℃，之后以5-7℃/min升温至1800-1900℃，然后保温50-60min；

所述第二保温为以3-5℃/min升温至2050-2150℃，然后保温20-30min；

所述保温保压中的保温温度为所述第二保温的保温温度；所述保温保压中的加压速率为0.4-0.45MPa/min；所述保温保压中的压力为35-40MPa；所述保温保压的时间为180-200min；所述降温为所述热压烧结结束后充 入保护气并进行随炉冷却；所述随炉冷却的终点温度＜200℃。