[发明专利]薄膜晶体管、制备方法以及显示面板

说明书

本发明提出了薄膜晶体管、制备方法以及显示面板，制备薄膜晶体管的方法，包括：提供基板，在基板的一侧形成有源层材料，有源层材料覆盖像素区和控制区，在有源层材料远离基板的一侧形成第一金属层，在第一金属层远离有源层材料的一侧形成第一光刻胶层，对在基板上的正投影位于像素区内的第一金属层进行刻蚀以在控制区内形成源漏极层，对第一光刻胶层进行预灰化以形成第二光刻胶层，对在基板上的正投影位于像素区内的有源层材料进行刻蚀以去除像素区内的有源层材料。由此，可通过上述方法较为简易的方法的制备显示效果良好，制造成本较低，器件寿命较长的薄膜晶体管。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及薄膜晶体管、制备方法以及显示面板。

背景技术

现有的主流显示设备中，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)用于驱动显示屏上的像素单元，TFT式显示设备具有高响应度、高亮度、高对比度等优点。

目前对于显示面板上位于像素区的有源层材料进行刻蚀的主流工艺，一般采用氯气作为主要反应气体，但在显示面板的制备过程中，氯气在真空管道中容易出现泄露，影响到人员人身安全，不利于工厂的安全生产，并且，制备的显示面板易出现像素区透光率较低，显示效果较差等问题。

因此，目前的薄膜晶体管、制备方法以及显示面板仍有待改进。

发明内容

本申请是基于发明人对以下问题的发现而做出的：

发明人发现，目前对像素区的有源层材料刻蚀的工艺所采用的主要反应气体为氯气，具有高腐蚀性，对工艺设备的腐蚀严重，同时还使得显示面板的故障率升高，整体制备成本较高。一般先对像素区的第一金属层进行湿法刻蚀，然后再对像素区的有源层材料进行刻蚀，最后再对控制区的光刻胶进行灰化处理，由于湿法刻蚀的各向同性，故在对像素区的有源层材料刻蚀后再将光刻胶灰化，会造成较大的有源层拖尾，影响产品的开口率等性能参数，并且在受到光线照射时产生较大的寄生电容，显示面板出现信号串扰、发光不均匀等问题。

本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

在本申请的一个方面，本发明提出了一种制备薄膜晶体管的方法，包括：提供基板，所述基板包括像素区和控制区，在所述基板的一侧形成有源层材料，所述有源层材料覆盖所述像素区和所述控制区，在所述有源层材料远离所述基板的一侧形成第一金属层，所述第一金属层在所述基板上的正投影位于所述像素区和所述控制区内，在所述第一金属层远离所述有源层材料的一侧形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于所述控制区内，对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述第一金属层进行刻蚀以在所述控制区内形成源漏极层，所述源漏极层在所述基板上的正投影位于所述第一光刻胶层在所述基板上的正投影内，对所述第一光刻胶层进行预灰化以形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层在所述基板上的正投影位于所述源漏极层在所述基板上的正投影内，对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述有源层材料进行刻蚀以去除所述像素区内的所述有源层材料。由此，可通过上述方法较为简易的方法的制备显示效果良好，制造成本较低，器件寿命较长的薄膜晶体管。

根据本发明的实施例，对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述第一金属层进行刻蚀的方法为湿法刻蚀；对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述有源层材料进行刻蚀的方法为干法刻蚀。由此，可有效提高对有源层材料和第一金属层的刻蚀效果。

根据本发明的实施例，形成所述有源层材料包括低温多晶硅，所述有源层材料的厚度为1150-1400埃米。由此，可进一步缩短制备时长，进一步降低制造成本。

根据本发明的实施例，所述干法刻蚀的所述刻蚀气体包括NF₃和He。由此，可避免氯气源漏极层金属的腐蚀，进一步提高器件使用寿命。

根据本发明的实施例，进一步包括：对所述源漏极层进行刻蚀，以形成源极和漏极；对所述控制区内的所述有源层材料进行刻蚀，以形成所述薄膜晶体管的有源层。由此，可获得具有完整结构、性能较好的薄膜晶体管。