[发明专利]薄膜晶体管、制备方法以及显示面板

权利要求书

1.一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括像素区和控制区，

在所述基板的一侧形成有源层材料，所述有源层材料覆盖所述像素区和所述控制区，

在所述有源层材料远离所述基板的一侧形成第一金属层，所述第一金属层在所述基板上的正投影位于所述像素区和所述控制区内，

在所述第一金属层远离所述有源层材料的一侧形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于所述控制区内，

对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述第一金属层进行刻蚀以在所述控制区内形成源漏极层，所述源漏极层在所述基板上的正投影位于所述第一光刻胶层在所述基板上的正投影内，

对所述第一光刻胶层进行预灰化以形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层在所述基板上的正投影位于所述源漏极层在所述基板上的正投影内，

对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述有源层材料进行刻蚀以去除所述像素区内的所述有源层材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述第一金属层进行刻蚀的方法为湿法刻蚀；对在所述基板上的正投影位于所述像素区内的所述有源层材料进行刻蚀的方法为干法刻蚀。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述有源层材料包括低温多晶硅，所述有源层材料的厚度为1150-1400埃米。

4.根据权利权利要求3所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的所述刻蚀气体包括NF₃和He。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，进一步包括：

对所述源漏极层进行刻蚀，以形成源极和漏极；

对所述控制区内的所述有源层材料进行刻蚀，以形成所述薄膜晶体管的有源层。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为通过权利要求1-5任一项所述的方法制备的。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，有源层的厚度为1300埃米，所述有源层包括第一亚层，第二亚层以及掺杂亚层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二亚层位于所述的第一亚层的一侧，所述掺杂亚层位于所述第二亚层远离所述第一亚层的一侧，

所述第一亚层的厚度为300埃米，所述第二亚层的厚度为850埃米，所述掺杂亚层的厚度为150埃米。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管位于基板上，所述基板包括像素区和控制区，所述薄膜晶体管位于控制区内，所述薄膜晶体管包括：

低温多晶硅形成的有源层；以及

源漏极，所述源漏极在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影范围内，

并且所述源漏极在所述基板上的正投影的边缘，和所述有源层在所述基板上的正投影的边缘之间的距离不大于1.2微米。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为通过权利要求1-5任一项所述的方法制备的，或为权利要求6-9任一项所述的薄膜晶体管。