[发明专利]基板处理方法

说明书

一种防止损坏下部图案化结构的基板处理方法包括：通过多次执行第一循环来形成具有一定厚度的第一薄膜，该第一循环包括将第一反应物供应到结构上并吹扫残留物；以及通过改变具有一定厚度的第一薄膜的化学成分来形成第二薄膜。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种基板处理方法，更具体地，涉及一种对形成在基板上的结构进行图案化的基板处理方法。

背景技术

当使用等离子体在基板上的图案化结构上沉积薄膜时，图案化结构可能会被自由基活性物质破坏。例如，在诸如包括聚合物材料的旋涂硬掩模(SOH)的图案化结构的情况下，可能发生对SOH膜的损坏。更详细地，当使用氧在形成有SOH膜的基板上沉积薄膜时，通过等离子体施加产生氧自由基活性物质，并且该薄膜下的SOH膜与氧自由基反应，从而改变膜质量或对SOH膜造成物理损坏。由于对下部图案化结构的损坏，图案之间的间隔在随后的图案化处理中可能不是恒定的。

发明内容

一个或多个实施例包括一种通过防止损坏下部图案化结构来改善图案化处理的CD均匀性的方法。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的提出的实施例来获悉。

根据一个或多个实施例，一种基板处理方法包括：通过多次执行第一循环来形成具有一定厚度的第一薄膜，该第一循环包括将第一反应物供应到结构上并吹扫残留物；以及通过改变具有一定厚度的第一薄膜的化学成分来形成第二薄膜。

根据基板处理方法的一示例，第一反应物可以包括含硅源气体。

根据基板处理方法的另一示例，可以在第一循环的至少一部分期间施加等离子体，并且第一反应物可以被等离子体解离，以将第一薄膜吸附在结构上。

根据基板处理方法的另一示例，在第一循环期间，供应与结构不反应的第二反应物，并且第一薄膜可以被第二反应物致密化。

根据基板处理方法的另一示例，在形成第二薄膜期间，多次执行第二循环，其中第二循环可以包括：在具有一定厚度的第一薄膜上供应第三反应物；通过施加等离子体以引起第一薄膜和第三反应物之间的反应；以及吹扫残留物。

根据基板处理方法的另一示例，第三反应物包括氧，并且在引起反应期间，第一薄膜可以被氧化。

根据基板处理方法的另一示例，第三反应物可以与结构反应。

根据基板处理方法的另一示例，第一薄膜的厚度可以大于或等于一定厚度，该厚度允许在第三反应物与第一薄膜反应时发生的结构的损失小于一定值。

根据基板处理方法的另一示例，该一定厚度可以是至少15埃。

根据基板处理方法的另一示例，在第二循环期间吹扫的残留物可以包括CH₄,C₂H₅,N(C₂H₅)₂,CO₂,NO,H₂O和H₂中的至少一个。

根据基板处理方法的另一示例，第一薄膜包括构成第一反应物的元素的混合物，并且通过将混合物吸附在结构上来形成第一薄膜。

根据基板处理方法的另一示例，第一薄膜可以包括通过混合物中的一种元素与构成结构的至少一种元素反应而形成的化学键。

根据基板处理方法的另一示例，基板处理方法还可以包括：去除第二薄膜的至少一部分以形成用于结构的间隔物图案；去除结构；以及使用间隔物图案作为掩模对下部结构进行图案化。

根据基板处理方法的另一示例，间隔物图案可以包括从下部结构突出的第一突起、第二突起和第三突起，并且第一突起和第二突起之间的第一距离与第二突起和第三突起之间的第二距离之差可以小于5埃。