[发明专利]基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

通过多次执行第一循环来形成具有一定厚度的第一薄膜，该第一循环包括将第一反应物供应到结构上并多次吹扫残留物；以及

通过改变具有一定厚度的第一薄膜的化学成分来形成第二薄膜。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一反应物包括含硅源气体。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在第一循环的至少一部分期间施加等离子体，并且

所述第一反应物被等离子体解离，以将所述第一薄膜吸附在所述结构上。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

在所述第一循环期间供应与所述结构不反应的第二反应物，并且

所述第一薄膜被所述第二反应物致密化。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在形成所述第二薄膜期间，多次执行第二循环，

其中，所述第二循环包括：

在具有一定厚度的第一薄膜上供应第三反应物；

施加等离子体以引起所述第一薄膜和第三反应物之间的反应；以及

吹扫残留物。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述第三反应物包括氧，并且

在引起反应期间所述第一薄膜被氧化。

7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，所述第三反应物与所述结构反应。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述第一薄膜的厚度大于或等于一定厚度，该厚度允许在所述第三反应物与第一薄膜反应时发生的所述结构的损失小于一定值。

9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述一定厚度为至少15埃。

10.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，在所述第二循环期间吹扫的残留物包括CH₄,C₂H₅,N(C₂H₅)₂,CO₂,NO,H₂O和H₂中的至少一个。

11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一薄膜包括构成所述第一反应物的元素的混合物，并且通过将混合物吸附在所述结构上来形成第一薄膜。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述第一薄膜包括通过所述混合物中的一种元素与构成所述结构的至少一种元素反应而形成的化学键。

13.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：

去除所述第二薄膜的至少一部分以形成用于所述结构的间隔物图案；

去除所述结构；以及

使用所述间隔物图案作为掩模对下部结构进行图案化。

14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，

所述间隔物图案包括从所述下部结构突出的第一突起、第二突起和第三突起，并且

所述第一突起和第二突起之间的第一距离与所述第二突起和第三突起之间的第二距离之差小于5埃。

15.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：在所述第二薄膜上形成具有与所述第二薄膜相同的成分的第三薄膜。

16.根据权利要求15所述的基板处理方法，还包括：

通过在所述第二薄膜和第三薄膜上执行回蚀来暴露所述结构；

去除所述结构；以及

使用所述第二薄膜和第三薄膜的其余部分作为掩模对下部结构进行图案化。