[发明专利]阵列基板及其制备工艺、显示面板和显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及其制备工艺、显示面板和显示装置。阵列基板包括过孔区和搭接金属线，所述过孔区至少设置有两个且所述过孔区内均形成有第一过孔，所述搭接金属线的两端分别伸入两个过孔区内的第一过孔，所述过孔区在所述阵列基板的厚度方向包括依次层叠设置的衬底基板、公共电极、栅极绝缘层、第一有源层、钝化层和像素电极，所述搭接金属线位于所述有源层和钝化层之间。阵列基板结构简单、易于实现，在不增加生产工序及成本的条件下，可以提高过孔区的膜层厚度，增加了搭接金属线与公共电极的距离，同时可以缩小孔洞处两者的正对面积，有效解决了过孔易发生异常放电的难题，提高了产品的良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及其制备工艺、显示面板和显示装置。

背景技术

随着TFT产业的进步和工艺的改善，液晶显示器发展迅猛。ADS作为TFT-LCD显示区结构的一种模式，具有宽视角、高开口率、低色差、低响应时间等优点，已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、电脑及液晶电视等。通常ADS阵列一般采用栅金属层来制作公共电极线，采用透明导电层作为公共电极，并将栅电极线两侧公共电极通过设置在像素区域的搭接过孔(COM孔)及搭接金属线连接起来。

在现有的ADS阵列基板中，搭接金属线与公共电极有交叠区，在钝化层上对光刻胶进行曝光、显影工艺，在公共电极上方包含交叠区的区域形成开口，然后刻蚀制成COM孔，由于干刻化学刻蚀的影响，在搭接金属线的一端与公共电极正对的区域的绝缘层被刻蚀掉，导致下方存在孔洞。同时，搭接金属线与公共电极之间垂直距离仅为绝缘层的厚度，间距较小，极易引起搭接金属线和公共电极发生异常放电，会造成器件大面积烧毁，而且8K高清显示产品等的像素密度较大，COM孔较多，良率损失严重。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备工艺、显示面板和显示装置。

为了实现上述目的，根据本发明实施例的第一个方面，提供了一种阵列基板。

根据本发明实施例的阵列基板，其包括过孔区和搭接金属线，所述过孔区至少设置有两个且所述过孔区内均形成有第一过孔，所述搭接金属线的两端分别伸入两个过孔区内的第一过孔，所述过孔区在所述阵列基板的厚度方向包括依次层叠设置的衬底基板、公共电极、栅极绝缘层、第一有源层和钝化层，所述搭接金属线位于所述第一有源层和钝化层之间。

进一步地，所述栅极绝缘层的厚度为

进一步地，所述第一有源层的厚度为

进一步地，所述阵列基板还包括栅电极线，所述栅电极线将所述公共电极分隔为两部分，所述过孔区分布在所述栅电极的两侧，所述搭接金属线用于连接分布在所述栅电极线两侧的过孔区。

进一步地，所述第一过孔内填充有导电介质，用于实现所述搭接金属线与所述公共电极的电性连接。

进一步地，所述阵列基板还包括公共电极线，位于所述栅电极线同侧公共电极之间通过所述公共电极线串联。

进一步地，所述阵列基板还包括第二有源层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极连接所述第二有源层。

进一步地，所述阵列基板还包括像素电极和数据线，所述源电极与所述数据线电性连接，所述漏电极与所述像素电极电性连接。

为了实现上述目的，根据本发明实施例的第二个方面，还提供了一种显示面板，其包括本发明实施例第一方面所提供的阵列基板。

为了实现上述目的，根据本发明实施例的第三个方面，还提供了一种显示装置，其包括本发明实施例第二方面所提供的显示面板。

为了实现上述目的，根据本发明实施例的第四个方面，还提供了一种阵列基板的制备工艺，其用于制备本发明实施例第一方面所提供的阵列基板。